[實(shí)用新型]一種MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520908972.0
• 申請(qǐng)日: 2015-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN205142170U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳平;張勇超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠州市物聯(lián)微電子有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/94
• 分類號(hào): H03K17/94
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路。

背景技術(shù)

在許多采用MCU(MicroControlUnit，微控制單元)控制電子開(kāi)關(guān)的電路中，當(dāng)MCU受到強(qiáng)干擾或設(shè)備異常導(dǎo)致MCU發(fā)生復(fù)位時(shí)，處于工作狀態(tài)的電子開(kāi)關(guān)往往會(huì)被MCU重新置于空閑狀態(tài)，待復(fù)位完成后再重新置于工作狀態(tài)或一直處于空閑狀態(tài)。對(duì)于特定電路不能中斷運(yùn)行的狀態(tài)下發(fā)生這種情況將導(dǎo)致嚴(yán)重的后果。而常用的磁保持繼電器往往體積較大，在要求對(duì)小體積的設(shè)備中則無(wú)法運(yùn)用。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路，該MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路可以在異常導(dǎo)致MCU發(fā)生復(fù)位時(shí)，工作狀態(tài)的電子開(kāi)關(guān)被處于空閑狀態(tài)，提高M(jìn)CU控制電子開(kāi)關(guān)的電路抗擾性，降低設(shè)備體積。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路，該MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路包括微控制器、鎖存電路鎖存電子開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)、與鎖存電路輸出連接的驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)鎖存電路的輸出控制電子開(kāi)關(guān)和與驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)輸出連接的電子開(kāi)關(guān)，其中所述微控制器的第一I/O端口輸出的鎖存信號(hào)和第二I/O端口輸出的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)分別與鎖存電路連接，所述鎖存電路的輸出信號(hào)與驅(qū)動(dòng)電路連接，當(dāng)微控制器復(fù)位時(shí)，所述鎖存電路鎖存的控制信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)電路使電子開(kāi)關(guān)仍然維持通電或斷開(kāi)狀態(tài)。

進(jìn)一步在說(shuō)，在所述微控制器的第一I/O端口與鎖存電路之間設(shè)有電阻或下拉鎖存信號(hào)電平的電阻，當(dāng)鎖存電路為高電平鎖存時(shí)，電阻上拉鎖存信號(hào)電平，當(dāng)鎖存電路為低電平鎖存時(shí)，電阻下拉鎖存信號(hào)電平。

本發(fā)明的MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路工作原理根據(jù)鎖存電路的鎖存電平區(qū)分為兩種情況來(lái)說(shuō)明其邏輯關(guān)系：

當(dāng)MCU發(fā)生復(fù)位時(shí)，第一I/O端口處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，即第一I/O端口的電平取決于外部電路的狀態(tài)，若外部為高，則為高電平，若外部為低，則為低電平；

當(dāng)鎖存電路為低電平鎖存時(shí)，電阻需設(shè)計(jì)成下拉電阻；在MCU復(fù)位時(shí)，第一I/O端口為輸出為低電平，第二I/O端口輸出無(wú)論處于何種電平狀態(tài)，電子開(kāi)關(guān)的狀態(tài)不會(huì)發(fā)生改變。

當(dāng)需要改變電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，先把第一I/O端口輸出設(shè)置為高電平輸出，然后改變第二I/O端口的狀態(tài)，如果第二I/O口為高電平則輸出低電平；第二I/O口為低電平則輸出高電平，待電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)翻轉(zhuǎn)后再將第一I/O端口輸出置為低電平輸出。

當(dāng)鎖存電路為高電平鎖存時(shí)，電阻需設(shè)計(jì)成上拉電阻。在MCU復(fù)位時(shí)，第一I/O端口為高電平輸出，第二I/O端口輸出無(wú)論處于何種狀態(tài)，電子開(kāi)關(guān)的狀態(tài)不會(huì)發(fā)生改變；需要改變開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，需要先把第一I/O端口輸出設(shè)置為低電平輸出，然后改變第二I/O端口的狀態(tài)，如果第二I/O口為高電平則輸出低電平；第二I/O口為低電平則輸出高電平，待電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)翻轉(zhuǎn)后再將第一I/O端口輸出置為高電平。

本實(shí)用新型MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路，包括微控制器、鎖存電子開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)的鎖存電路、與鎖存電路輸出連接的驅(qū)動(dòng)電路和與驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)輸出連接的電子開(kāi)關(guān)，其中所述微控制器的第一I/O端口輸出的鎖存信號(hào)和第二I/O端口輸出的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)分別與鎖存電路連接，所述鎖存電路的輸出信號(hào)與驅(qū)動(dòng)電路連接，當(dāng)微控制器復(fù)位時(shí)，所述鎖存電路鎖存的控制信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)電路使電子開(kāi)關(guān)維持通電或斷開(kāi)狀態(tài)。由于MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路可以在異常導(dǎo)致MCU發(fā)生復(fù)位時(shí)，工作狀態(tài)的電子開(kāi)關(guān)被處于空閑狀態(tài)，提高M(jìn)CU控制電子開(kāi)關(guān)的電路抗擾性，同時(shí)避免采用磁保持繼電器無(wú)法降低設(shè)備體積。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單介紹，顯而易見(jiàn)地，而描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他附圖。

圖1是MCU復(fù)位時(shí)能保持電子開(kāi)關(guān)狀態(tài)的電路實(shí)施例電氣原理框圖。

下面結(jié)合實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)作進(jìn)一步說(shuō)明。

具體實(shí)施方式