[實用新型]一種功能性多層復合光伏背板有效
| 申請號: | 201520905763.0 | 申請日: | 2015-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN205122610U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發明(設計)人: | 楊繼明 | 申請(專利權)人: | 中天光伏材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;B32B27/08;B32B27/30;B32B27/32;B32B27/36;B32B7/12;B32B33/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功能 多層 復合 背板 | ||
技術領域:
本實用新型涉及太陽能電池組件的封裝領域,尤其涉及一種功能性多層復合光伏背板。
背景技術:
太陽能電池背板是光伏組件中極其重要的封裝材料,對電池片起到支撐和保護作用,同時其直接與外界環境大面積接觸,承擔著保障光伏組件25年穩定發電的重要使命,必須具備卓越的耐老化(濕熱、干熱、紫外)、耐電氣絕緣、水蒸氣阻隔、尺寸穩定等性能。
目前背板主要以PET為基材在兩面復合耐候性高分子薄膜(氟膜、聚乙烯膜、聚酰胺膜等)或涂覆氟涂料,無論是復合型背板還是涂覆型背板一般只有三層高分子薄膜,厚度在200-400μm之間,常常存在著反光率低、導熱性差的問題,影響電池片的發電效率,甚至有些背板還不能滿足一些嚴苛的環境要求,由于水汽、紫外線的破壞作用出現黃變、脫層、裂紋等問題直接導致組件失效。
實用新型內容:
為了解決上述問題,本發明提供了一種通過結構設計增加兩層耐候聚烯烴薄膜,明顯的提高了背板的水汽阻隔性、導熱性、局放性等性能的技術方案:
一種功能性多層復合光伏背板,其特征在于:由耐候外層A、耐候外層B、中間基層、內層A及內層B由上至下依次疊加構成,所述耐候外層A、耐候外層B、中間基層及內層A之間均通過高分子膠黏劑粘接,所述內層B為內層A下表面涂層。
作為優選,耐候外層A的厚度為20-40μm。
作為優選,耐候外層B的厚度為50-100μm。
作為優選,中間基層的厚度為100-300μm。
作為優選,內層A的厚度為50-100μm。
作為優選,內層B的厚度為20-40μm。
本實用新型的有益效果在于:
本實用新型通過結構設計增加兩層耐候聚烯烴薄膜,明顯提高了背板的水汽阻隔性、導熱性、局放性等性能,背板水汽透過率小于1.0g/m2·d(紅外法),導熱系數介于3.0-5.0W/M·K,相對漏電起痕指數測試結果大于400V(IEC等級為II級),反射率(400-1100nm)大于85%,使用本實用新型背板封裝的光伏組件在85℃,85%濕度,外加1000V負向電壓,測試96h后,組件前后功率衰減最大不超過1%。不僅能夠降低背板失效的風險,還可以實現組件發電增益,同時內層涂層的引入還能夠增強背板與封裝EVA膠膜的粘結力。
附圖說明:
圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式:
為使本實用新型的發明目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合附圖對本實用新型的實施方式作進一步地詳細描述。
如圖1所示,本發明設計了一種功能性多層復合光伏背板,由耐候外層A1、耐候外層B2、中間基層3、內層A4及內層B5由上至下依次疊加構成,耐候外層A1、耐候外層B2、中間基層3及內層A4之間均通過高分子膠黏劑6粘接,內層B5為內層A4下表面涂層,耐候外層A1的厚度為20-40μm,耐候外層B2的厚度為50-100μm,中間基層3的厚度為100-300μm,內層A4的厚度為50-100μm,內層B5的厚度為20-40μm。
其中耐候外層A1為聚氟乙烯膜和聚偏氟乙烯膜的一種。耐候外層B2為耐候型聚烯烴薄膜,由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-辛烯共聚物、鈦白粉、滑石粉、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、正硅酸乙酯、過氧化二異丙苯、3,5-二叔丁基-4-羥基苯丙酸十八酯、3,5-二叔丁基-4-羥基-苯甲酸十六烷基酯、二月桂酸二丁基錫、2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮、油酸酰胺按一定重量組分構成。與此同時中間基層3為PET薄膜。內層A4為耐候型聚烯烴薄膜,由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-辛烯共聚物、鈦白粉、滑石粉、γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、正硅酸乙酯、過氧化二異丙苯、3,5-二叔丁基-4-羥基苯丙酸十八酯、3,5-二叔丁基-4-羥基-苯甲酸十六烷基酯、二月桂酸二丁基錫、2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮、油酸酰胺按一定重量組分構成。高分子膠黏劑是聚氨酯膠黏劑、環氧樹脂膠黏劑、丙烯酸樹脂膠黏劑的一種。內層B5由聚四氟乙烯樹脂、聚偏氟乙烯樹脂、聚三氟氯乙烯樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂中的兩種或多種混合構成。
實施例1
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





