[實用新型]一種緊湊型D-D中子發生器有效
| 申請號: | 201520903910.0 | 申請日: | 2015-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN205124106U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發明(設計)人: | 姚澤恩;王俊潤;張宇;韋錚;徐大鵬;盧小龍 | 申請(專利權)人: | 蘭州大學 |
| 主分類號: | H05H3/06 | 分類號: | H05H3/06 |
| 代理公司: | 蘭州振華專利代理有限責任公司 62102 | 代理人: | 張晉 |
| 地址: | 730000 *** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 緊湊型 中子 發生器 | ||
1.一種緊湊型D-D中子發生器,包括:真空腔體;離子源系統;束流引出加速系統;靶系統;高壓饋入系統及真空泵系統;其中由離子源產生的離子束流被引出、加速并與靶系統上的氘靶發生D-D聚變核反應放出中子,其特征在于真空腔體為一段管狀構件,其兩端分別用離子源陽極法蘭和第二法蘭與離子源系統和束流引出加速系統、靶系統、高壓饋入系統實現聯接,真空腔體與離子源陽極法蘭和高壓饋入系統法蘭間分別通過第一和第二“O”型圈實現真空密封,同時由真空泵系統抽氣保持真空腔體內為高真空,所述的離子源為雙等離子源,其內通有D氣體。
2.根據權利要求1所述的一種緊湊型D-D中子發生器,其特征在于:所述的真空腔體用不銹鋼制造,其管壁上設置有連通真空泵的管路,且真空腔體接地;所述的束流引出加速系統包括:一個由不銹鋼制成的引出加速電極,由高壓饋入系統將負高壓饋入到引出加速電極上,在離子源陽極和引出加速電極之間形成電場,從離子源中引出并加速D離子束,D離子束穿過引出加速電極孔到靶上。
3.根據權利要求2所述的一種緊湊型D-D中子發生器,其特征在于:引出加速電極為一筒狀結構,筒狀的引出加速電極內的筒底上與離子源的離子輸出位置相對應位置開設有一個供離子進入并作用于靶材上的準直孔,靶系統設置于筒狀的引出加速電極內,所述的靶系統包括靶托、靶片和靶片安裝法蘭構成,靶片用靶片安裝法蘭和第三“O”型密封圈安裝在靶托上,靶托上設有與冷卻管道連通的冷卻槽,冷卻液經冷卻管道和冷卻槽對靶片進行良好冷卻。
4.根據權利要求3所述的一種緊湊型D-D中子發生器,其特征在于:高壓饋入系統包括:其兩端帶有凸緣的管狀陶瓷高壓絕緣構件、用于固定引出加速電極并實現電聯接的第一法蘭、第二法蘭和高壓電纜,其中:管狀陶瓷高壓絕緣構件的兩端凸緣與引出加速電極法蘭和高壓饋入系統法蘭間分別用活套法蘭和螺釘固定安裝,管狀陶瓷高壓絕緣構件的兩端凸緣與活套法蘭間用第四“O”型密封圈實現真空密封;管狀陶瓷高壓絕緣構件的內腔插入高壓電纜;高壓電纜的外緣設置有冷卻液管道,管狀陶瓷構件的內腔與高壓電纜外緣和冷卻管道的間隙間充有絕緣介質,以實現該區域的良好高壓絕緣性能。
5.根據權利要求4所述的一種緊湊型D-D中子發生器,其特征在于冷卻液管道為絕緣材料制成的繞于高壓電纜外緣的兩層螺旋狀管道。
6.根據權利要求3至5所述的任一種緊湊型D-D中子發生器,其特征在于圓筒形真空腔體壁上和筒狀束流引出加速電極的筒壁上相對應位置分別設置有中子輸出窗口。
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