[實用新型]微型晶圓處理設備有效
| 申請號: | 201520897426.1 | 申請日: | 2015-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN205122547U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發明(設計)人: | 王義正 | 申請(專利權)人: | 奇勗科技股份有限公司;王義正 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 王玉雙;田景宜 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 處理 設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種半導體處理設備,尤指一種微型晶圓處理設備。
背景技術
晶圓(Wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,并于其上制作集成電路(integratedcircuit,IC),而集成電路的制作過程需要經過數十甚至上百個步驟,如微影、蝕刻、化學沉積等等,而在進行這些制程時,通常會將晶圓置于處理設備之中,與外界做一個隔絕,以提高制程的成功率,并防止制程中所產生的有害物質外露。
一般常見的晶圓處理設備如中國臺灣專利公告第I473162號的《用以蝕刻半導體晶圓的設備》,該設備包含有一腔室、一設置于該腔室的一頂部區域的噴頭,以及一設置于該腔室的一底部區域的晶圓座,該腔室包含有一處理區域,一晶圓置于該晶圓座上并位于該處理區域,進行制程時,該噴嘴會朝該晶圓進行處理。
然而,該腔室的該頂部區域與該底部區域的間距較大而使該腔室的體積變大,進而增加整體設備的體積,因此,如何減少晶圓處理設備的體積,增加空間的使用效率,實為一大課題。
發明內容
本實用新型的主要目的,在于解決晶圓處理設備的體積較大,而降低空間使用效率的問題。
為達上述目的,本實用新型提供一種微型晶圓處理設備,是針對一晶圓進行處理,該微型晶圓處理設備包含有一第一半部、一設置于該第一半部上方的第二半部、一氣體供應單元、一液體供應單元、一環型密封件以及一液體回收件,該第一半部包含有一工作平臺、一設置于該工作平臺的第一孔洞,該第二半部包含有一對應蓋合于該工作平臺以形成一容置該晶圓的處理腔室的上蓋、一設置于該上蓋的第二孔洞以及一連接于該上蓋的升降件,該氣體供應單元與該第一孔洞、該第二孔洞連通并提供一氣體至該處理腔室,該液體供應單元與該第一孔洞、該第二孔洞連通并提供一液體至該處理腔室,該環型密封件設置于該第一半部與該第二半部的一周緣,該液體回收件包含有貫穿該環型密封件并與該處理腔室連通的一回收管路、一排出管路以及一連通該回收管路、該排出管路的過濾部。
所述的微型晶圓處理設備還包含有一設置于該環型密封件上的排氣孔。
該第一半部還包含有一設置于該工作平臺的升降旋轉件。
所述的微型晶圓處理設備還包含有一與該第一孔洞連通的抽真空單元。
所述的微型晶圓處理設備還包含有一電性連接于該氣體供應單元、該液體供應單元以及該抽真空單元的控制單元。
所述的微型晶圓處理設備還包含有一設置于該第一半部與該環型密封件外的排放件,該排放件具有一供該氣體與該液體排放的排放空間,以及一與該排放空間連通的排放口。
所述的微型晶圓處理設備還包含有一與該排放口連通的負壓裝置。
綜上所述,本實用新型具有以下特點:
一、藉由該上蓋對應蓋合于該工作平臺,形成稍大于該晶圓的該處理腔室,而可縮小該處理腔室,進而減少本實用新型的體積,增加空間使用率。
二、藉由該回收管路與該排出管路與該處理腔室連通,而可回收進入該處理腔室的該液體,該液體再經由該過濾部過濾后,從該排出管路重新輸入至該處理腔室,而可重復利用該液體,以降低成本。
附圖說明
圖1,為本實用新型第一實施例的剖面結構示意圖。
圖2A~2C,為本實用新型第一實施例的連續作動示意圖。
圖3,為本實用新型第二實施例的剖面結構示意圖。
圖4,為本實用新型第二實施例的排放示意圖。
具體實施方式
涉及本實用新型的詳細說明及技術內容,現就配合附圖說明如下:
請參閱圖1及圖2A至圖2C所示,為本實用新型第一實施例的剖面結構示意圖以及連續作動示意圖。本實用新型為一種微型晶圓處理設備,是針對一晶圓80進行處理,該微型晶圓處理設備包含有一第一半部10、一設置于該第一半部10上方的第二半部20、一氣體供應單元40、一液體供應單元41、一環型密封件50以及一液體回收件60,該第一半部10包含有一工作平臺11以及一設置于該工作平臺11的第一孔洞12,該第二半部20包含有一對應蓋合于該工作平臺11以形成一容置該晶圓80的處理腔室30的上蓋21、一設置于該上蓋21的第二孔洞22以及一連接于該上蓋21的升降件23,藉由該上蓋21對應蓋合于該工作平臺11,形成稍大于該晶圓80的該處理腔室30,而可縮小該處理腔室30,進而減少該微型晶圓處理設備的體積,增加空間使用率。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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