[實用新型]一種硅雪崩光電二極管組件有效
| 申請號： | 201520887291.0 | 申請日： | 2015-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN205092256U | 公開（公告）日： | 2016-03-16 |
| 發明（設計）人： | 呂志勤;呂強;黃臻 | 申請（專利權）人： | 中蕊（武漢）光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/107 | 分類號： | H01L31/107;H01L31/028;H01L31/02;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 龐紅芳 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖新*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雪崩 光電二極管 組件 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅雪崩光電二極管組件，其特征在于，所述硅雪崩光電二極管組件包括：硅雪崩光電二極管和距離所述硅雪崩光電二極管的襯底至少3倍光波波長處的超材料以使入射光通過所述超材料之后再進入硅雪崩光電二極管，所述超材料的電磁共振波長位于400nm-780nm之間。
2.根據權利要求1所述的硅雪崩光電二極管組件，其特征在于，所述超材料是由制作在玻璃基板上的金屬層與介質層交替排列所形成的周期性多層結構組成。
3.根據權利要求2所述的硅雪崩光電二極管組件，其特征在于，所述超材料的周期性多層結構的層數在3層或3層以上。
4.根據權利要求2所述的硅雪崩光電二極管組件，其特征在于，所述金屬層為銀層。
5.根據權利要求2所述的硅雪崩光電二極管組件，其特征在于，所述介質層為氮化硅層、二氧化鈦層、三氧化二鋁層或二氧化硅層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
