[實(shí)用新型]n型鍺生長結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520886096.6
• 申請日: 2015-11-09
• 公開（公告）號: CN205211757U
• 公開（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周志文;葉劍鋒;李世國
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 左光明

1.一種n型鍺生長結(jié)構(gòu)，包括Si襯底和依次生長在所述Si襯底表面的 Si_1-xGe_x緩沖層、Ge本征層、Si阻擋層和n型Ge摻雜層；其中，所述x為0 ＜x≤1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Si阻擋 層為Si層、Si_1-yGe_y層或交替生長的Si壘層/Si_1-zGe_z量子阱層形成的Si/ Si_1-zGe_z超晶格阻擋層；其中，所述0＜y≤0.3，所述0＜z≤0.5。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Si層的 厚度為5-20納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Si_1-yGe_y層的厚度為5-20納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Si壘層 的厚度為5-20納米；和/或

所述Si_1-zGe_z量子阱層的厚度為5-10納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Si/Si_1-zGe_z超晶格阻擋層中的所述超晶格周期數(shù)為3-10。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n 型Ge摻雜層的厚度為50-200納米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述 Ge本征層的厚度為50-2000納米；和/或

所述Si_1-xGe_x緩沖層的厚度為1微米以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的n型鍺生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述 Si_1-xGe_x緩沖層中的x＝1，且所述Si_1-xGe_x緩沖層的厚度為30-200納米。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于：包括權(quán)利要求1-9任一所述的n型 鍺生長結(jié)構(gòu)。