[實用新型]一種大功率LED光源有效
| 申請號: | 201520883218.6 | 申請日: | 2015-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN205092268U | 公開(公告)日: | 2016-03-16 |
| 發明(設計)人: | 江向東;江浩瀾;陳柏堯;吳小軍;汪春濤 | 申請(專利權)人: | 安徽湛藍光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/58 | 分類號: | H01L33/58;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司: | 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 張景云 |
| 地址: | 234000 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 led 光源 | ||
技術領域
本實用新型涉及照明技術領域,具體來說是一種大功率LED光源。
背景技術
與傳統光源一樣,半導體發光二極體(LED)在工作期間也會產生熱量,其多少取決于整體的發光效率。其電光轉換效率大約只有20~30%左右,也就是說大約70%的電能都變成了熱能。
然而,LED芯片的特點是在極小的體積內產生極高的熱量,而LED本身的熱容量很小,所以,必須以最快的速度把這些熱量傳導出去,否則就會產生很高的結溫,為了盡可能的把熱量引出到芯片外,人們在LED的芯片結構上進行了很多改進。
為了改善LED芯片本身的散熱,其最主要的改進就是采用導熱系數高的襯底材料。對于一些大功率的LED,一般采用共晶焊接技術固晶。所以,共晶層的導熱系數直接影響芯片的散熱情況。所以,各大LED生產商,都在不斷研究如何提高合金層的導熱系數。在兼顧成本與產品質量的情況下,一種經濟有效的襯底是各大LED生產廠家迫切需要的。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中共晶層導熱系數不高的缺陷,提供一種大功率LED光源來解決上述問題。
本實用新型是通過以下技術方案來實現上述技術目的:
一種大功率LED光源,所述LED光源包括基板、若干個LED晶片;所述基板上設有電路、正極、負極;所述基板上還包括LED晶片固晶塊;所述電路處于固晶塊內;所述若干個LED晶片固定在所述基板上并與所述電路進行電性連接;所述電路與所述正極、負極進行電性連接;所述LED晶片的底部設有合金層;所述合金層熔融于所述基板上。
優選的,所述固晶塊內對稱設有兩組串聯電路,所述兩組串聯電路并聯。
優選的,所述若干個LED晶片分為兩組,每組LED晶片通過一組串聯電路串聯在一起。
優選的,所述每組串聯電路上串聯12個LED晶片。
優選的,所述金-錫合金層中的金與錫的質量比為7:3。
優選的,所述基板為氮化鋁基板;所述絕緣層為陶瓷絕緣層。
優選的,通過共晶焊接技術將所述金-錫合金層、串聯電路、氮化鋁陶瓷基板溶合形成共晶層。
優選的,所述共晶焊接的焊接溫度為280°。
優選的,所述LED晶片還包括發光層;所述發光層處于所述金-錫合金層的上部;所述發光層的上部覆有熒光層。
優選的,所述固晶去周圍還設有圍堰;所述圍堰為八卦圖形;所述八卦圖形的圍堰將兩組LED芯片分成兩部分;所述圍堰高度為0.5mm;所述圍堰是使用圍堰膠制成的圍堰。
本實用新型與現有技術相比,具有以下優點:
氮化鋁陶瓷基板與金-錫合金層共晶焊接后產生的共晶層,尤其是金錫比為7:3時,生成的共晶層導熱系數高,熱穩定性好,在固晶的同時,滿足了大功率LED芯片的散熱需求。
本實用新型提供的大功率LED光源采用了八卦圖式電路分布,結構緊湊,在圍堰3的配合下,光源的發光塊域集中,光效好。
附圖說明
圖1為本實用新型一種大功率LED光源的俯視圖;
圖2為圖1的結構尺寸示意圖。
具體實施方式
為使對本實用新型的結構特征及所達成的功效有更進一步的了解與認識,用以較佳的實施例及附圖配合詳細的說明,說明如下:
如圖1所示,一種大功率LED光源,LED光源包括基板1、若干個LED晶片2;基板1的表面自下而上設有絕緣層11、金屬層12。上設有電路121、正極122、負極123;若干個LED晶片2固定在基板1上并與電路11進行電性連接。電路121與正極122、正極123進行電性連接。LED晶片2的底部設有合金層;合金層熔融于基板1上。本實用新型提供的合金層為金-錫合金層。
本實用新型提供的基板1為氮化鋁陶瓷基板1。當金-錫合金層中的金與錫的質量比為7:3時,通過共晶焊接技術將金-錫合金層、串聯電路121、氮化鋁陶瓷基板1溶合形成共晶層,共晶焊接的焊接溫度為280°。如此形成的共晶層,導熱系數高,穩定性好。
本實用新型提供的光源,其基板1為圓形,圓形基板1,圓形基板1上沿固晶塊四周設有高度為0.5mm的圍堰3,圍堰3為八卦圖狀;正、負極分別設置在八卦圖的兩端。基座1上設有兩組串聯電路121,兩組串聯電路121分別布置在八卦圖圍堰3的兩部分內,且每組串聯電路121都與正、負極進行電性連接。兩組串聯電路121并聯,每組串聯電路121上串聯了12個LED晶片,兩組總共24個LED晶片,即本實用新型提供的電路為12串2并的八卦陣式的電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于安徽湛藍光電科技有限公司,未經安徽湛藍光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520883218.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種密封塞
- 下一篇:GaN基LED外延結構





