[實用新型]低溫多晶硅薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板有效
| 申請號： | 201520875410.0 | 申請日： | 2015-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN205092247U | 公開（公告）日： | 2016-03-16 |
| 發明（設計）人： | 張帥;詹裕程 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陳俊;景軍平 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 多晶 薄膜晶體管 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，包括設置在襯底上的有源層、源極、漏極、柵極以及位于所述有源層和所述柵極之間的柵極絕緣層，其特征在于，
所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括設置在所述有源層和所述柵極絕緣層之間的氧化石墨烯層。
2.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述氧化石墨烯層的厚度為10-20nm。
3.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括形成在所述襯底上的緩沖層。
4.如權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述緩沖層由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。
5.如權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述緩沖層由氧化硅形成，且厚度為50-100nm。
6.如權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述緩沖層由氮化硅形成，且厚度為100-300nm。
7.如權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述有源層設置在所述緩沖層上；
所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括設置在所述柵極上的層間電介質層；以及
所述源極和所述漏極分別通過貫穿所述氧化石墨烯層、所述柵極絕緣層和所述層間電介質層的過孔連接到所述有源層。
8.如權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述柵極設置在所述緩沖層上；
所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括設置在所述有源層上的層間電介質層；以及
所述源極和所述漏極分別通過貫穿所述層間電介質層的過孔連接到所述有源層。
9.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，
所述有源層包括摻雜的源極接觸區和漏極接觸區；
所述源極設置在所述源極接觸區上方并且連接到所述源極接觸區；以及
所述漏極設置在所述漏極接觸區上方并且連接到所述漏極接觸區。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1-9中任意一項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管，覆蓋所述低溫多晶硅薄膜晶體管的平坦化層，以及像素電極，
其中所述像素電極通過貫穿所述平坦化層的過孔連接到所述低溫多晶體管薄膜晶體管的所述漏極。
11.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求10所述的陣列基板。
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