[實(shí)用新型]晶片載體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520873877.1
• 申請(qǐng)日: 2015-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN205335232U
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桑迪普·克利希南;拉格胡·穆爾坎納亞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 維易科儀器有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/673
• 分類號(hào): H01L21/673
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王小東

1.一種晶片載體，該晶片載體構(gòu)造為與化學(xué)氣相沉積裝置一起使用，其特征在于，該晶片載體包括：

本體，該本體具有彼此相對(duì)布置的頂表面和底表面；

多個(gè)凹穴，所述多個(gè)凹穴被限定在所述晶片載體的所述頂表面中；

該晶片載體包括由總共14個(gè)凹穴組成的多個(gè)凹穴，每個(gè)凹穴沿著兩個(gè)圓中的一個(gè)圓布置，其中所述兩個(gè)圓彼此同心并且與由所述頂表面的周緣所形成的圓形輪廓同心。

2.如權(quán)利要求1所述的晶片載體，其特征在于，

所述多個(gè)凹穴中的四個(gè)凹穴繞所述兩個(gè)圓中的第一個(gè)圓布置；并且

所述多個(gè)凹穴中的十個(gè)凹穴繞所述兩個(gè)圓中的第二個(gè)圓布置。

3.如權(quán)利要求2所述的晶片載體，其特征在于，所述第一個(gè)圓被所述第二個(gè)圓圍繞。

4.如權(quán)利要求1的所述晶片載體，其特征在于，所述頂表面包括300mm的直徑。

5.如權(quán)利要求1或4所述的晶片載體，其特征在于，所述多個(gè)凹穴中的每個(gè)凹穴均包括50mm的凹穴直徑。

6.如權(quán)利要求1或4所述的晶片載體，其特征在于，所述多個(gè)凹穴中的每個(gè)凹穴均包括具有430μm深度的徑向壁。

7.如權(quán)利要求1所述的晶片載體，其特征在于，所述晶片載體還包括布置在所述底表面上的鎖定特征部。

8.如權(quán)利要求7所述的晶片載體，其特征在于，所述鎖定特征部布置在所述底表面的幾何中心處。

9.如權(quán)利要求7或8所述的晶片載體，其特征在于，所述鎖定特征部選自由花鍵、卡盤或鎖控配件組成的組中。

10.如權(quán)利要求1所述的晶片載體，其特征在于，所述頂表面和所述底表面均包括一直徑，并且所述頂表面的直徑大于所述底表面的直徑。

11.如權(quán)利要求1所述的晶片載體，其特征在于，所述晶片載體構(gòu)造為與金屬氧化物化學(xué)氣相沉積裝置一起使用。