[實(shí)用新型]一種防浪涌電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520873707.3
• 申請(qǐng)日: 2015-11-04
• 公開（公告）號(hào): CN205081465U
• 公開（公告）日: 2016-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊洪亮;吳海燕;方潔苗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江榆陽(yáng)電子有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/04
• 分類號(hào): H02H9/04
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 沈孝敬

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電路領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種防浪涌電路。

背景技術(shù)

經(jīng)常使用的NTC抑制浪涌電流電路由于其簡(jiǎn)單得到廣泛的應(yīng)用，其電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，可是由于其功耗以及熱機(jī)無(wú)抑制浪涌作用使得在很多應(yīng)用中效果不理想。隨著現(xiàn)在電子產(chǎn)品對(duì)浪涌電流要求越來(lái)越高，這種結(jié)構(gòu)的電路已不能滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的是現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，旨在提供一種改進(jìn)型的防浪涌電路，既能夠更有效地降低浪涌電流，大大減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊，同時(shí)功耗低，且不會(huì)產(chǎn)生熱機(jī)無(wú)抑制浪涌作用。

為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：一種防浪涌電路，包括大功率電阻R1、MOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容C1、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BD1和保險(xiǎn)絲F1，其特征在于所述的電容C1的一端接電解電容EC1的正極、電阻R4的一端和橋堆BD1的正極，電容C1的另一端、電解電容EC1的負(fù)極、MOS管Q1的漏極和電阻R1的一端接地，電阻R1的另一端接橋堆BD1的負(fù)極、MOS管Q1源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZD1的陽(yáng)極、電容C3的一端和電阻R3的一端，電容C2的另一端接MOS管Q1的柵極、穩(wěn)壓管ZD1的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。

本實(shí)用新型的一種防浪涌電路，在啟動(dòng)的時(shí)候，由于電解電容EC1和電容C1上電壓為0，MOS管Q1關(guān)斷，輸入電壓通過(guò)大功率電阻R1給電解電容EC1和電容C1充電，所以電流由電阻R1決定，電阻R1阻值越大，浪涌電流就越小，當(dāng)電解電容EC1上的電壓達(dá)到某一個(gè)值時(shí)，MOS管Q1柵極電壓達(dá)到MOS管的閾值電壓時(shí)，MOS管Q1開啟，短路電阻R1，啟動(dòng)完成，由于MOS管Q1導(dǎo)通后，MOS管Q1的DS之間電壓非常小，損耗非常低。電容C2、電容C3可以用來(lái)調(diào)節(jié)MOS管Q1柵極電壓的上升時(shí)間，控制MOS管Q1的開通時(shí)間，穩(wěn)壓管ZD1可以用來(lái)保護(hù)MOS管Q1柵極電壓不超過(guò)其限值。由于電阻R1的存在，使得浪涌電流可以做的很小，而由于MOS管Q1的存在，使得整個(gè)電子產(chǎn)品在正常工作的時(shí)候，效率不受影響。

本實(shí)用新型還要提供另一種結(jié)構(gòu)的防浪涌電路，包括大功率電阻R1、MOS管Q1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、穩(wěn)壓管ZD1、電容C1、電解電容EC1、電容C3、電容C2、橋堆BD1、保險(xiǎn)絲F1、二極管D1、三極管Q2及電阻R5，其特征在于所述的電容C1的一端接電解電容EC1的正極、電阻R4的一端和橋堆BD1的正極，電容C1的另一端、電解電容EC1的負(fù)極、MOS管Q1的漏極和電阻R1的一端接地，電阻R1的另一端接橋堆BD1的負(fù)極、MOS管Q1源極、電容C2的一端、穩(wěn)壓管ZD1的陽(yáng)極、電容C3的一端、電阻R3的一端和電阻R5的一端，電容C2的另一端接MOS管Q1的柵極、穩(wěn)壓管ZD1的陰極和電阻R2的一端，電阻R2的另一端接二極管D1的陰極和三極管Q2的源極，三極管Q2的集電極接電阻R5的另一端，三極管Q2的基極接電阻R4、電阻R3和電容C3的另一端。

本技術(shù)方案是在前一技術(shù)方案基礎(chǔ)上作的改進(jìn)，增加了一個(gè)由二極管D1、三極管Q2及電阻R5構(gòu)成的柵極泄放電路，其主要作用在于關(guān)斷的時(shí)候用來(lái)泄放MOS管Q1柵極的電壓，當(dāng)關(guān)斷輸入電壓，三極管Q2基極電壓先下降，導(dǎo)致三極管Q2導(dǎo)通，MOS管Q1柵極電壓通過(guò)三極管Q2快速放電，三極管Q2快速關(guān)斷，當(dāng)開通輸入電壓的時(shí)候，輸入還是得通過(guò)電阻R1給電解電容EC1和電容C1充電，所以通過(guò)這個(gè)電路可以更好的實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)機(jī)，而由于MOS管Q1的存在，使得整個(gè)電子產(chǎn)品在正常工作的時(shí)候，效率不受影響，就是快速開關(guān)機(jī)以及熱機(jī)開關(guān)機(jī)，浪涌電流一樣都能得到抑制，從而大大減少電子產(chǎn)品對(duì)電網(wǎng)的沖擊。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是現(xiàn)有NTC抑制浪涌電流電路的電路圖。

圖2是本實(shí)用新型防浪涌電路的一種電路結(jié)構(gòu)圖。

圖3是本實(shí)用新型防浪涌電路的另一種電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

圖1為現(xiàn)有的NTC抑制浪涌電流電路，其缺陷前面已經(jīng)描述過(guò)了，在此不再贅述。