[實用新型]一種高儲能電容單元

有效

• 申請號: 201520846595.2
• 申請日: 2015-10-29
• 公開（公告）號: CN205319038U
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 陳明宗;邱繼皓
• 申請（專利權）人: 鈺邦電子（無錫）有限公司
• 主分類號: H01G11/30
• 分類號: H01G11/30;H01G11/00
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249
• 代理人: 姜萬林

1.一種高儲能電容單元，其特征在于，包括：

一電解質，

一正電極，設置于所述電解質中，所述正電極包含一基材及一形成于所述基材上的過渡金屬氧化物層；以及

一負電極，設置于所述電解質中且與所述正電極彼此相對。

2.根據權利要求根據權利要求1所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述基材為一金屬多孔基材。

3.根據權利要求2所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述多孔基材為一泡棉狀鋁材、一泡棉狀鎳材或一泡棉狀鈦材。

4.根據權利要求1所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述過渡金屬氧化物層材料為氧化錳(MnO2)、氧化鎳(NiO)、氧化鈷(Co3O4)、氧化釩(V2O5)、氧化銥(IrO2)或氧化釕(RuO2)。

5.根據權利要求1所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述電解質為凝膠電解質。

6.根據權利要求5所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述凝膠電解質包含一導電性高分子。

7.根據權利要求1所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述電解質為水系膠體電解液。

8.根據權利要求7所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述水系膠體電解液中包含一導電性高分子。

9.根據權利要求1所述的高儲能電容單元，更進一步包括兩個間隔設置的集電體，所述該些集電體各為一金屬之多孔體，所述正電極與所述負電極分別設置于所述兩個集電體的表面。

10.根據權利要求9所述的高儲能電容單元，更進一步包括一隔離層，所述隔離層設置于所述正電極與所述負電極之間。

11.一種高儲能電容單元，其特征在于，包括：

一電解質；

一正電極，設置于所述電解質中，所述正電極的材料包括多孔碳材料和奈米尺寸的過渡金屬氧化物材料；以及

一負電極，設置于所述電解質中且與所述正電極彼此相對。

12.根據權利要求11所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述多孔碳材料為奈米石墨烯、奈米碳管、奈米碳黑、奈米碳纖維或奈米碳球。

13.根據權利要求11所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述過渡金屬氧化物材料為氧化錳(MnO2)、氧化鎳(NiO)、氧化鈷(Co3O4)、氧化釩(V2O5)、氧化銥(IrO2)或氧化釕(RuO2)。

14.根據權利要求11所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述電解質為凝膠電解質。

15.根據權利要求14所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述凝膠電解質包含一導電性高分子。

16.根據權利要求11所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述電解質為水系膠體電解液。

17.根據權利要求16所述的高儲能電容單元，其特征在于，所述水系膠體電解液中包含一導電性高分子。

18.根據權利要求11所述的高儲能電容單元，其特征在于，還包括兩個間隔設置的集電體，所述該些集電體各為一金屬之多孔體，所述正電極與所述負電極分別設置于所述兩個集電體的表面。

19.根據權利要求18所述的高儲能電容單元，其特征在于，還包括一隔離層，所述隔離層設置于所述正電極與所述負電極之間。