[實用新型]一種輔助LDO電路及切換供電電路有效
| 申請號: | 201520840443.1 | 申請日: | 2015-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN205121403U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發明(設計)人: | 劉啟付;王銘義;袁奧;馬洋 | 申請(專利權)人: | 上海芯圣電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201616 上海市松江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 輔助 ldo 電路 切換 供電 | ||
1.一種輔助LDO電路,其特征在于,包括:
用于產生參考電壓的帶隙基準電路;
用于向負載供電的第一負反饋電路,所述第一負反饋電路與所述帶隙基準電路連接;
與第一負反饋電路連接的第一供電輸出端。
2.根據權利要求1所述的輔助LDO電路,其特征在于,所述帶隙基準電路包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一PNP三極管、第二PNP三極管、第三PNP三極管、第一電阻和第二電阻;
所述第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管的源極均與電源連接,第二PMOS晶體管的柵極與第二PMOS晶體管的漏極、第一PMOS晶體管的柵極、第三PMOS晶體管的柵極均連接,第一PMOS晶體管的漏極與第一NMOS晶體管的漏極連接,第一NMOS晶體管的柵極與第二NMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的漏極均連接,第二NMOS晶體管的漏極與第二PMOS晶體管的漏極連接,第一PNP三極管的發射極與第一NMOS晶體管的源極連接,第一PNP三極管的基極與第二PNP三極管的基極、第一PNP三極管的集電極、第二PNP三極管的集電極、第三PNP三極管的基極、第三PNP三極管的集電極均連接且接地,第二PNP三極管的發射極通過第一電阻與第二NMOS晶體管的源極連接,第三PNP三極管的發射極通過第二電阻與第三PMOS晶體管的漏極連接。
3.根據權利要求1或2所述的輔助LDO電路,其特征在于,所述第一負反饋電路包括第四PMOS晶體管、第一運算放大器、第三電阻和第四電阻;
所述第四PMOS晶體管的柵極與第一運算放大器的輸出端連接,第四PMOS晶體管的源極與電源連接,第四PMOS晶體管的漏極通過第三電阻與所述第一運算放大器正向輸入端連接,第一運算放大器的反向輸入端與第三PMOS晶體管的漏極連接,第一運算放大器的正向輸入端通過第四電阻接地,第三PMOS晶體管的柵極與第一運算放大器的偏置端連接,第四PMOS晶體管的漏極與第一供電輸出端連接。
4.一種切換供電電路,其特征在于,包括:
輔助LDO電路;
主LDO電路,所述主LDO電路包括第二負反饋電路、向第二負反饋電路提供參考電壓的VBG模塊、與第二負反饋電路連接的第三開關;
分別與所述輔助LDO電路和主LDO電路中第二負反饋電路連接的CTRL電路。
5.根據權利要求4所述的切換供電電路,其特征在于,所述第二負反饋電路包括第二運算放大器、第五PMOS晶體管、第五電阻和第六電阻、第二供電輸出端;
所述第二運算放大器的反向輸入端連接VBG模塊,第二運算放大器的正向輸入端通過第五電阻與第五PMOS晶體管的漏極連接,第二運算放大器的輸出端與第五PMOS晶體管的柵極連接,第五PMOS晶體管的源極與電源連接,所述第二運算放大器的正向輸入端通過第六電阻與第三開關連接,所述第三開關的另一端接地,第五PMOS晶體管的漏極連接第二供電輸出端。
6.根據權利要求4或5所述的切換供電電路,所述第三開關為第三NMOS晶體管,所述第三NMOS晶體管的漏極與第六電阻連接,第三NMOS晶體管的源極接地。
7.根據權利要求4所述的切換供電電路,其特征在于,所述輔助LDO電路包括:
用于產生參考電壓的帶隙基準電路;
用于向負載供電的第一負反饋電路,所述第一負反饋電路與所述帶隙基準電路連接;
與第一負反饋電路連接的第一供電輸出端。
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