[實(shí)用新型]藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路和藍(lán)牙音箱

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520838904.1
• 申請日: 2015-10-27
• 公開（公告）號: CN205142166U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李強(qiáng);賀旭明;彭久高;吳海全;師瑞文
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市冠旭電子有限公司
• 主分類號: H03K17/28
• 分類號: H03K17/28;H04R3/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路和藍(lán)牙 音箱。

背景技術(shù)

如今隨著技術(shù)信息的不斷開放和智能電子終端的普及，電子發(fā)燒友想要自 行在家庭中實(shí)現(xiàn)簡單的物聯(lián)控制已經(jīng)越來越容易。

但是，現(xiàn)有的藍(lán)牙芯片在應(yīng)用中，硬開機(jī)時(shí)由于藍(lán)牙芯片的電源輸入端與 藍(lán)牙芯片的開關(guān)機(jī)控制端同時(shí)通電，容易產(chǎn)生不能正常開機(jī)的現(xiàn)象。例如：在 藍(lán)牙CSR_86XX系列芯片的應(yīng)用中，由于該藍(lán)牙芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)原因，當(dāng)電源 輸入端與藍(lán)牙芯片的開關(guān)機(jī)控制端同時(shí)通電后，該藍(lán)牙芯片的接地端無法快速 根據(jù)同時(shí)接入的電平信號實(shí)現(xiàn)輸入電壓的判斷，導(dǎo)致該藍(lán)牙芯片無法正常工作。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路和藍(lán)牙音 箱，旨在解決現(xiàn)有藍(lán)牙芯片的電源輸入端和開關(guān)控制端同時(shí)通電所出現(xiàn)的不能 正常開機(jī)工作的問題。

本實(shí)用新型的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路，與藍(lán) 牙芯片相連，所述開關(guān)延遲電路包括：

為所述藍(lán)牙芯片提供開關(guān)使能電平和工作電壓的電源模塊；

連接于所述電源模塊正極端和所述藍(lán)牙芯片之間，控制所述藍(lán)牙芯片的開 關(guān)使能電平和工作電壓之間通電延遲時(shí)間的延遲模塊。

電源模塊為鋰蓄電池構(gòu)成的蓄電池組，所述蓄電池組的正極連接至所述延 遲模塊的電源輸入端，所述蓄電池組的負(fù)極與所述藍(lán)牙芯片的接地端相連。

延遲模塊包括開關(guān)SW1、供電保護(hù)電阻R1、隔離電阻R2、電阻R3、開關(guān) 管Q1以及貯能電容C1；

所述開關(guān)SW1的不動端為所述延遲模塊的電源輸入端，與所述電源模塊正 極端相連，所述開關(guān)SW1的動端為延遲模塊的電源輸出端，與所述藍(lán)牙芯片供 電端相連，所述供電保護(hù)電阻R1第一端與所述開關(guān)SW1的動端相連，所述供 電保護(hù)電阻R1第二端與所述開關(guān)管Q1的高電位端相連，所述開關(guān)管Q1的高 電位端為所述延遲模塊的延遲輸出端，與所述藍(lán)牙芯片開關(guān)使能端相連，所述 隔離電阻R2第一端與所述供電保護(hù)電阻R1第一端相連，所述隔離電阻R2第 二端與所述開關(guān)管Q1高電位端相連，所述開關(guān)管Q1的控制端與所述貯能電容 C1第一端相連，所述貯能電容C1第二端與所述隔離電阻R2第一端相連，所 述開關(guān)管Q1的控制端與低電位端之間連有所述電阻R3，所述開關(guān)管Q1的低 電位端接地。

可選的，開關(guān)SW1為單刀雙擲開關(guān)SW1，所述開關(guān)SW1的不動端為所述 單刀雙擲開關(guān)SW1的不動端，所述開關(guān)SW1的動端為所述單刀雙擲開關(guān)SW1 的動端。

可選的，貯能電容C1為雙極性電容C1，所述貯能電容C1第一端為所述 雙極性電容C1的負(fù)極端，所述貯能電容C1第二端為所述雙極性電容C1的正 極端。

可選的，開關(guān)管Q1為JFET管、MOS管或三極管。

可選的，開關(guān)管Q1為NMOS管Q1，所述開關(guān)管Q1的高電位端、低電位 端和控制端分別為所述NMOS管Q1的漏極端、源極端和柵極端。

可選的，開關(guān)管Q1為NPN型三級管Q1，所述開關(guān)管Q1的高電位端、低 電位端和控制端分別為所述NPN型三級管Q1的集電極、發(fā)射極和基極。

本實(shí)用新型的實(shí)施例的另一目的在于提供一種藍(lán)牙音箱，該藍(lán)牙音箱包括 如上所述的藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路。

本實(shí)用新型所提供的一種藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路和藍(lán)牙音箱，與藍(lán)牙芯 片相連，包括為所述藍(lán)牙芯片提供開關(guān)使能電平和工作電壓的電源模塊，以及 連接于所述電源模塊正極端和藍(lán)牙芯片之間，控制所述藍(lán)牙芯片的開關(guān)使能電 平和工作電壓之間通電延遲時(shí)間的延遲模塊。通過將延遲模塊連接與電源模塊 與藍(lán)牙芯片之間，延遲模塊能夠在藍(lán)牙芯片供電端與藍(lán)牙芯片開關(guān)使能端同時(shí) 通電時(shí)，實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙芯片供電端與開關(guān)使能端之間的通電延遲，避免了因?yàn)橥瑫r(shí) 通電所導(dǎo)致的藍(lán)牙芯片無法正常工作的現(xiàn)象。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路的結(jié)構(gòu)框圖。

圖2為本實(shí)用新型的藍(lán)牙芯片的開關(guān)延遲電路的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖 及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體 實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。