[實用新型]基于碳納米管作為橋接結構的高壓二極管有效
| 申請號： | 201520822266.4 | 申請日： | 2015-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN205177883U | 公開（公告）日： | 2016-04-20 |
| 發明（設計）人： | 閆曉密;張秀敏;李睿 | 申請（專利權）人： | 江蘇新廣聯半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;劉海 |
| 地址： | 214192 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 納米 作為 結構 高壓 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于碳納米管作為橋接結構的高壓二極管，包括襯底（1），襯底（1）上設置多個發光單元，發光單元包括在襯底（1）上自下而上依次設置的緩沖層（2）、U-GaN層（3）、N-GaN層（4）、多量子肼（5）、P-GaN層（6）和透明導電層（7），透明導電層（7）上表面設置P電極（8），N-GaN層（4）上表面設置N電極（9）；其特征是：所述相鄰的發光單元之間由溝槽相隔離，在溝槽表面設置SiO2絕緣層（10），在SiO2絕緣層（10）表面設置橋接結構（11），橋接結構（11）連接相鄰發光單元的N-GaN層（4）和透明導電層（7）。
2.如權利要求1所述的基于碳納米管作為橋接結構的高壓二極管，其特征是：所述橋接結構（11）采用碳納米管。
3.如權利要求1所述的基于碳納米管作為橋接結構的高壓二極管，其特征是：所述襯底（1）采用藍寶石襯底。
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