[實用新型]氫化爐

有效

• 申請號: 201520802470.X
• 申請日: 2015-10-13
• 公開（公告）號: CN205133162U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 楊澤天;丁建;莫銀飛
• 申請（專利權）人: 新疆大全新能源有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

技術領域

本實用新型涉及多晶硅生產領域，特別是一種氫化爐。

背景技術

在多晶硅的生產技術中，改良西門子法為主要的生產方法。在多晶硅棒的生產過程中，將四氯化硅氣體和氫氣按一定比例混合后通往氫化爐，位于氫化爐內的石墨發熱體在在通電后產生大量熱能，在高溫(1200～1250℃)、高壓環境下，四氯化硅和氫氣會發生反應。在如此高溫、高壓條件下，對于氫化爐內電器連接件的考驗非常大，為保證產生能夠穩定運行，國內多晶硅行業抗蝕絕緣隔熱結構主要以石墨耗材和石英耗材為主。

當氫化爐內發生反應時，氫化爐內會產生長期的向下高溫、高壓沖擊的氣流。由于石墨及石英材質的抗蝕性能差，氣流長期向下沖刷會使爐內抗蝕絕緣隔熱結構的石英蓋板嚴重受損，粉塵物進入到抗蝕絕緣隔熱結構內，影響絕緣，造成氫化爐停車。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于，提供一種新型結構的氫化爐，所要解決的技術問題是提高氫化爐抗蝕隔熱性能，從而更加適于實用。

本實用新型的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的，依據本實用新型提出的一種氫化爐，其包括：

爐體；

位于所述爐體底座上的發電電極；

發熱機構，包括發熱體以及石墨底座；

絕緣防護結構，包括錐管、兩端開口的筒體以及中心具有通孔的氮化硅蓋板；

所述錐管、所述石墨底座依次設置在所述發電電極上，所述筒體套設在所述石墨底座上，所述氮化硅蓋板蓋設于所述筒體的頂部，所述發熱體穿過所述氮化硅蓋板的通孔與所述石墨底座連接，并通過所述石墨底座與所述發電電極電連接。

本實用新型的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

優選的，前述的氫化爐，其中所述的氮化硅蓋板的外圍輪廓尺寸大于所述筒體的徑向外輪廓尺寸。

優選的，前述的氫化爐，其中所述的所述氮化硅蓋板的底面蓋設于所述筒體的頂部；

所述氮化硅的蓋板的底面上具有與所述通孔連通容納凹槽；

所述筒體的頂部容納在所述容納凹槽內。

優選的，前述的氫化爐，其中所述的錐管為石英錐管，其中所述的筒體為石英罩。

優選的，前述的氫化爐，其中所述的石墨底座具有上槽口與下槽口；

所述發電電極插入到所述石墨底座的下槽口內；所述發熱體插入到所述石墨底座的上槽口內。

優選的，前述的氫化爐，其中所述的石墨底座的下槽口兩側還開設有容納槽，所述石墨底座連接于所述錐管上時，所述錐管的頂部插入到所述石墨底座下槽口兩側開設的容納槽內。

優選的，前述的氫化爐，其中所述的發熱體包括第一發熱體及第二發熱體，所述第一發熱體通過所述石墨底座與所述發電電極的正電極電連接，所述第二發熱體通過所述石墨底座與所述發電電極負電極電連接；

所述的第一發熱體和所述的第二發熱體之間架設橫梁進行連接，所述橫梁為導電體，所述橫梁與所述第一發熱體及所述第二發熱體之間通過鎖緊螺母進行鎖緊。

借由上述技術方案，本實用新型氫化爐至少具有下列優點：

本實用新型提供的技術方案中，氫化爐內的發熱體在通電后產生大量熱能，爐內溫度升高，達到1200到1250攝氏度時，爐內四氯化硅和氫氣會發生反應，氫化爐內會產生長期的向下高溫、高壓沖擊的氣流，氮化硅蓋板的底面蓋設于石英罩頂部，直接承受氫化爐內產生長期的向下高溫、高壓沖擊的氣流，由于氮化硅材料耐高溫，耐壓，抗腐蝕性好，能夠減少由于爐內氣流沖刷及高溫灼燒造成的缺損，可以有效的保護位于氮化硅蓋板之下的石英罩和石英錐管，延長石英罩和石英錐管的使用壽命，氮化硅蓋板蓋設于石英罩頂部，當氣流向下沖擊時，氮化硅蓋板更加緊密的與石英罩蓋合，有效防止粉塵物進入到石英錐管中，保證絕緣防護結構的可靠性，避免氫化爐停車。

上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例提供的氫化爐總體結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例提供的氫化爐局部結構示意圖；

圖3是本實用新型實施例提供的氫化爐局部結構示意圖；

圖4是本實用新型實施例提供的氫化爐局部結構示意圖。

具體實施方式