[實(shí)用新型]一種晶圓級(jí)電子元器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520797634.4
• 申請(qǐng)日: 2015-10-15
• 公開（公告）號(hào): CN205051164U
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃向向;道格拉斯·斯巴克斯;關(guān)健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 罕王微電子（遼寧）有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/026
• 分類號(hào): H01S5/026;H01S5/028
• 代理公司: 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001
• 代理人: 樊南星

1.一種晶圓級(jí)電子元器件；其封裝基礎(chǔ)是硅片晶圓基板(1)，其上布置有激光發(fā)射裝置(2)、反射鏡(3)、集成電路(4)且上述三者皆被封裝在由玻璃晶圓鏡頭(5)、硅晶圓對(duì)峙架(6)和硅片晶圓基板(1)共同封閉的封裝內(nèi)腔(7)中；激光發(fā)射裝置(2)連接著集成電路(4)，玻璃晶圓鏡頭(5)和硅片晶圓基板(1)之間通過硅晶圓對(duì)峙架(6)密封連接為一體；其特征在于：

所述晶圓級(jí)電子元器件中，硅片晶圓基板(1)為一側(cè)開口的凹槽式結(jié)構(gòu)，其槽底上布置有激光發(fā)射裝置(2)、集成電路(4)；硅片晶圓基板(1)的槽底與凹槽外凸上表面之間設(shè)置有過渡斜面(11)；過渡斜面(11)上設(shè)置有以濕法腐蝕硅工藝制備得到的硅斜面，并在硅斜面的基礎(chǔ)上沉積金屬制作得到具有反射激光能力的過渡斜面(11)，即以沉積金屬層后的該過渡斜面(11)用作所述晶圓級(jí)電子元器件的反射鏡(3)。

2.按照權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)電子元器件，其特征在于：硅片晶圓基板(1)中用作反射鏡(3)的過渡斜面(11)替換為下述結(jié)構(gòu)：設(shè)置在凹槽內(nèi)腔槽底且與槽底一體的向槽內(nèi)腔凸出的側(cè)面為斜面的凸棱，凸棱的側(cè)面即為能用作反射鏡(3)鏡面的金屬鏡面。

3.按照權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)電子元器件，其特征在于：硅片晶圓基板(1)中還設(shè)置有用作反射鏡(3)的下述結(jié)構(gòu)：

設(shè)置在封裝內(nèi)腔(7)槽底且與槽底一體的向封裝內(nèi)腔(7)一側(cè)凸出的側(cè)面為斜面的凸棱，凸棱的側(cè)面即為能用作反射鏡(3)鏡面的金屬鏡面。

4.按照權(quán)利要求1-3其中之一所述晶圓級(jí)電子元器件，其特征在于：所述晶圓級(jí)電子元器件中，與激光發(fā)射裝置(2)電連接用于支持其工作的集成電路(4)布置在封裝內(nèi)腔(7)的外部；

硅片晶圓基板(1)上設(shè)有溝通封裝內(nèi)腔內(nèi)外的硅通孔(13)；

集成電路(4)通過布置在硅通孔(13)中的電連接件連接著激光發(fā)射裝置(2)。

5.按照權(quán)利要求4所述晶圓級(jí)電子元器件，其特征在于：布置在硅通孔(13)中用于連接集成電路(4)和激光發(fā)射裝置(2)的電連接件具體是下述結(jié)構(gòu)件之一或其組合：金屬柱、金屬絲、金屬植球。