[實用新型]動態隨機存取記憶體

有效

• 申請號: 201520797220.1
• 申請日: 2015-10-15
• 公開（公告）號: CN205038966U
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 鄭翰鴻;郭繼汾
• 申請（專利權）人: 宇帷國際股份有限公司
• 主分類號: G11C5/04
• 分類號: G11C5/04;G11C5/06
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 倪中翔;王淳

1.一種動態隨機存取記憶體，其特征在于，它包括：

一本體，具有一基板、一發光模組及一導光部，該基板設有一記憶體模組，該發光模組具有一載板及一設于該載板的發光部，該導光部相對該發光部設置，至少部分該發光部的光源經由該導光部而射至該動態隨機存取記憶體的外部；

一傳輸埠，設于該基板，該傳輸埠與該記憶體模組電性連接。

2.如權利要求1所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述導光部設有一散射結構，部分所述發光部的光源朝所述散射結構投射而散射后、均勻地穿透出該導光部并射至所述動態隨機存取記憶體的外部。

3.如權利要求2所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述散射結構均勻地分布于所述導光部內，部分所述發光部的光源朝該散射結構投射后可向該導光部的周側射出。

4.如權利要求2所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述導光部具有至少一入射面、一設有所述散射結構的散射面及一相對該散射面的出射面，所述發光部鄰設于所述至少一入射面，該發光部的光源朝該至少一入射面入射、且部分光源經由該散射結構散射后可從所述出射面透出。

5.如權利要求4所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述散射結構為凹凸結構或散射網點結構。

6.如權利要求1所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述基板具有一貫孔，所述導光部穿設于所述貫孔。

7.如權利要求1所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述載板凸設有至少一側翼，該至少一側翼連接于所述基板。

8.如權利要求1所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述基板設有一與所述傳輸埠電性連接的第一電性插槽，所述載板設有一與所述發光部電性連接的第二電性插槽，所述第一電性插槽及所述第二電性插槽以一電性排線相互插接而電性連接。

9.如權利要求1至8中任一項所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述本體還包括一殼部，該殼部蓋設于所述基板的相對兩側，該殼部設有一透光部，至少部分所述發光部的光源可經由所述導光部及所述透光部而射至所述動態隨機存取記憶體的外部。

10.如權利要求9所述的動態隨機存取記憶體，其特征在于，所述透光部為透光材料層或鏤空結構。