[實用新型]一種活塞桿去氫加熱爐爐體有效
| 申請號: | 201520796865.3 | 申請日: | 2015-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN205088320U | 公開(公告)日: | 2016-03-16 |
| 發明(設計)人: | 徐國明 | 申請(專利權)人: | 寧波培源電器制造有限公司 |
| 主分類號: | C25D5/48 | 分類號: | C25D5/48 |
| 代理公司: | 北京智為時代知識產權代理事務所(普通合伙) 11498 | 代理人: | 王加嶺;楊靜 |
| 地址: | 315157 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 活塞桿 加熱爐 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種去氫設備,特別涉及一種活塞桿去氫加熱爐爐體。
背景技術
去氫處理,也稱除氫處理,一般是對電鍍前后必須進行的工序,特別應用在高強度高硬度的零件在電鍍工藝中。
鐵零件鍍鋅過程中,除鋅的電沉積外,往往伴隨有氫離子還原析氫的副反應。氫還原一部分變成氣體逸出,還有一部分以氫的原子形態滲入到鍍層和基體金屬晶格的點陣中去,造成晶格歪扭,零件內應力增加,鍍層和基體變脆,人們稱之為氫脆。氫脆對材料的力學性能危害很大,如不除去,會影響零件的壽命,甚至造成機器的破壞事故。因此某些鋼材或用于特殊條件下的零件,必須進行除氫處理,例如飛機上使用的鍍鋅件都要經過除氫處理。彈性零件和高強度鋼上鍍鋅也需要進行除氫。除氫采用加熱處理法將氫從零件內部趕出去。除氫效果與除氫溫度、保溫時間有關。溫度高,時間長除氫越徹底。但加熱溫度不能太高,超過250℃鋅結晶組織變形、發脆,耐蝕性明顯下降。一般用190℃~230℃,2h~3h。滲碳件和錫焊件除氫溫度是140℃~l60℃,保溫3h。
在任何電鍍溶液中,由于水分子的離解,總或多或少地存在一定數量的氫離子。因此,電鍍過程中,在陰極析出金屬(主反應)的同時,伴有氫氣的析出(副反應)。析氫的影響是多方面的,其中最主要的是氫脆。氫脆是表面處理中最嚴重的質量隱患之一,析氫嚴重的零件在使用過程中就可能斷裂,造成嚴重的事故。
我司生產的活塞桿用于高負荷的工作環境,因此對其具有高強度、高硬度的要求,且需鍍鋅處理,傳統的去氫爐使用不便,且去氫效果差。
實用新型內容
【1】要解決的技術問題
本實用新型要解決的技術問題是提供一種使用方便、去氫效果好的活塞桿去氫加熱爐爐體。
【2】解決問題的技術方案
本實用新型提供一種活塞桿去氫加熱爐爐體,所述爐體1內成型有頂部敞口的加熱腔,所述爐體1從外向內依次由外殼體11、中殼體12和內殼體構成,所述中殼體12與所述內殼體之間設有間隙,所述間隙內設有加熱組件;所述加熱組件包括安裝支架、安裝柱3和電加熱裝置4,所述安裝支架包括垂直固定在所述爐體底面的立柱21,所述立柱21至少為四根且沿所述爐體的軸線周向均布,所述立柱21上設有偶數個環形安裝架22,所述環形安裝架22與所述爐體1同軸,所述安裝柱3周向均布在所述環形安裝架的內圈,所述電加熱裝置4纏繞在所述安裝柱3之間。
進一步的,所述安裝柱3包括固定在所述環形安裝架上的中心軸31及套設在所述中心軸31上的圓柱體32,所述圓柱體32的側壁設有環形凹槽321。
進一步的,所述圓柱體32由陶瓷制成。
進一步的,所述電加熱裝置4為電加熱管或電熱絲。
進一步的,所述環形安裝架22為六個。
進一步的,所述內殼體由銅制成。
【3】有益效果
本實用新型活塞桿去氫加熱爐爐體,結構簡單緊湊,使用方便,能對活塞桿進行批量去氫,去氫效率高且效果好。
附圖說明
圖1為本實用新型活塞桿去氫加熱爐爐體的結構示意圖;
圖2為本實用新型活塞桿去氫加熱爐爐體的剖視圖;
圖3為本實用新型活塞桿去氫加熱爐爐體的加熱組件的結構示意圖;
圖4為本實用新型活塞桿去氫加熱爐爐體的安裝柱的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖,詳細介紹本實用新型實施例。
一種活塞桿去氫加熱爐,包括爐體,在爐體內成型有頂部敞口的加熱腔,熱處理時,將待去氫的活塞桿放置在該加熱腔內,在加熱腔的側壁設有電加組件,加熱腔的頂部設有圓形的蓋體,在蓋體上垂直設置有風葉電機,該風葉電機的輸出軸向下穿過蓋體并與位于蓋體下端的風葉連接,為了使結構更加緊湊,且利于提高風葉效果,蓋體的下底面向內凹形成安裝腔,風葉位于該安裝腔內;本實施例中,在蓋體上設有排氣閥,該排氣閥通過人工或電腦控制;在爐體的側壁設有安裝座,在安裝座的頂部設有支撐架,且該支撐架位于蓋體的正上方,在支撐架上平行安裝有至少兩根水平轉軸,在該水平轉軸上纏繞有鋼絲,而鋼絲的端部與蓋體連接,通過轉軸的轉動實現蓋體打開或蓋合,在水平轉軸的端部設有齒輪,在支撐架上設有抬升電機,該抬升電機為減速電機,其通過鏈條與水平轉軸端部的齒輪連接。為了使用方便,通常將爐體埋于地面下。
以下對該加熱爐的爐體結構進行詳細說明,參閱圖1至圖4;
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