[實用新型]一種劃裂一體機

有效

• 申請號: 201520796299.6
• 申請日: 2015-10-14
• 公開（公告）號: CN205004347U
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 蔡家豪;劉紅雨;王亞杰;朱發明;梁鴻順;邱智中
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/268
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于LED制造設備領域，尤其涉及一種可同時進行劃片和裂片的一體機。

背景技術

LED的生產流程包括外延和芯片兩個制程，其中外延制程主要是在一襯底上通過氣相沉積法將不同材料沉積于襯底上形成外延片，而芯片制程則是在外延片上制作透明導電層、電極等結構，并且通過劃片機臺、裂片機臺將一晶圓分割成多個晶粒，供后續的封裝使用。

劃片機臺通常采用激光在晶圓的表面或者晶圓內部于相鄰晶粒之間切割形成縱橫交錯的多條切割線，然后裂片機臺沿該切割線將晶圓劈裂形成多個獨立的晶粒。現有技術中，劃片機臺和裂片機臺分別獨立作業，先后對晶圓進行劃片和裂片處理。當晶圓經劃片后，需人工將晶圓從劃片機臺取出并通過倒膜貼附于保護膜上，再轉移至裂片機臺進行裂片。此過程，需耗費一定的人力、生產材料如保護膜以及作業時間。

如圖1所示的晶圓10的側視圖，h為晶圓10的厚度，h1和h2分別為晶圓10不同位置處的厚度，C為隱形切割線，d為切割線距離晶圓10上表面的距離，d1和d2分別為晶圓10在上述位置處切割線C距離晶圓10上表面的距離。晶圓10在隱形切割前通常需經研磨減薄，經減薄后的晶圓10不同位置處厚度h皆會有些微的不一致，例如h1與h2不等。在隱形切割時，激光聚焦在晶圓10的襯底內部形成多條切割線C。現有技術中，由于激光焦距固定不變，經隱形切割后，d1/h1不等于d2/h2。然而，裂片機臺對晶圓10劈裂時，均施以相同的劈裂力度，則可能造成晶圓10無法被一次性劈裂，產生雙晶等異常現象。

因此，為提高LED的生產效率、降低生產成本、提高生產質量，有必要提出一種將劃片制程和裂片制程整合為一體，減少劈裂過程中異常的生產設備。

發明內容

為達到以上目的，本實用新型提供了一種劃裂一體機，用于對晶圓進行同時劃片和裂片作業，包括：放置晶圓的一水平移動和旋轉的工件臺，兩左右相對移動的劈裂臺，位于所述晶圓正上方的一劈刀，位于所述劈刀一側的第一圖像獲取裝置，其中，所述劈刀另一側設置一測量晶圓厚度的厚度測量裝置；所述晶圓下方與所述劈刀相對設置一激光系統；所述激光裝置側邊設置氣體吹掃裝置和第二圖像獲取裝置。

優選地，所述激光系統為變焦激光系統。

優選地，所述兩劈裂臺相對移動設定距離后，上端具有一間隙，中間具有一腔體，所述激光系統位于所述腔體內。

優選地，所述厚度測量裝置為紅外測厚儀或機械接觸式測厚儀。

優選地，所述第一圖像獲取裝置為自動光學檢測裝置（AutomaticOpticInspection，簡稱AOI）。

優選地，所述第二圖像獲取裝置為電荷耦合元件。

優選地，所述第二圖像獲取裝置側邊設置用于照明的光源。

優選地，所述光源為紅外線光源。

優選地，所述氣體吹掃裝置為惰性氣體吹掃裝置。

本實用新型至少具有以下有益效果：該一體機將對晶圓進行隱形切割的激光系統和劈裂使用的劈刀分別設置于晶圓下方和上方，實現劃片和裂片的同時作業，節省晶圓由劃片機臺向裂片機臺轉移時的人力消耗以及生產材料的浪費，減少作業時間，提高生產效率。同時，根據晶圓厚度差異采用變焦激光系統進行隱形切割，減少劈裂進程中的異常現象，提高晶粒質量。

附圖說明

圖1為現有技術中經隱形切割后晶圓側視圖。

圖2為本實用新型之一體機側視結構示意圖。

圖3為本實用新型之晶圓俯視圖一。

圖4為本實用新型之一體機俯視結構示意圖。

圖5為本實用新型之隱形切割后晶圓側視圖。

圖6為本實用新型之晶圓俯視圖二。

附圖標注：10.晶圓；11.夾具；12.測試點；13.晶粒；20.工作臺；30.劈裂臺；31.間隙；32.腔體；40.劈刀；50.第一圖像獲取裝置；60.厚度測量裝置；70.激光系統；80.第二圖像獲取裝置；90.光源；100.氣體吹掃裝置；C（C’）.切割線。

具體實施方式

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。