[實(shí)用新型]一種OLED結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520794821.7
• 申請(qǐng)日: 2015-10-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN205092271U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢(qián)超;楊波;張洪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京高光半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/52
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 翁斌

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于有機(jī)發(fā)光二極管制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種OLED結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

目前OLED器件有兩種光出射方式：底發(fā)光和頂發(fā)光。頂發(fā)光OLED相對(duì)于底發(fā)光OLED器件有更好的分辨率和色彩飽和度，并且發(fā)光效率高、色域廣、壽命長(zhǎng)。但是，頂發(fā)光制作工藝也相對(duì)較難。

對(duì)于頂發(fā)光OLED器件而言，陰極對(duì)其性能有著至關(guān)重要的影響，而透光性和導(dǎo)電性則是陰極所必須考慮的重要因素。通常，用于陰極的材料(如Mg、Ag、Al等)只有在厚度非常薄的情況下才具有很好的透光性，然而，當(dāng)陰極層很薄時(shí)，陰極的表面電阻會(huì)隨膜厚降低而增大，導(dǎo)致AMOLED顯示出現(xiàn)亮度不均勻的問(wèn)題。因此，薄膜金屬電極厚度決定了器件的透過(guò)率和表面電阻，頂發(fā)光AMOLED的陰極需要同時(shí)考慮透光性和導(dǎo)電性的問(wèn)題。

在OLED器件中封裝后蓋板玻璃由于微量的凸起或凹陷，產(chǎn)生牛頓環(huán)現(xiàn)象，導(dǎo)致色差產(chǎn)生；

在器件受到外力的擠壓或沖擊時(shí)容易導(dǎo)致器件膜層結(jié)構(gòu)損壞，產(chǎn)生不良。

實(shí)用新型內(nèi)容

實(shí)用新型目的：本實(shí)用新型的目的是為了解決以上現(xiàn)有OLED器件在很薄的情況下電阻值高的不足，提供一種OLED結(jié)構(gòu)。

技術(shù)方案：本實(shí)用新型所述的一種OLED結(jié)構(gòu)，其目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，

一種OLED結(jié)構(gòu)，包括基板玻璃和封裝玻璃，所述基板玻璃上間隔地設(shè)有pillar柱，所述pillar柱之間的基板玻璃上設(shè)有ITO陽(yáng)極層和有機(jī)層，在基板玻璃的pillar柱和有機(jī)層上設(shè)有一層連續(xù)的金屬陰極薄膜層，所述封裝玻璃內(nèi)側(cè)面上設(shè)有ITO輔助陰極層，其特征在于，所述ITO輔助陰極層上、與基板玻璃上pillar柱對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)有彈性導(dǎo)電支撐柱，使封裝玻璃上的ITO輔助陰極層通過(guò)彈性導(dǎo)電支撐柱與基板玻璃上金屬陰極薄膜層連接導(dǎo)通。

所述彈性導(dǎo)電支撐柱為點(diǎn)狀或條狀，均勻分布于封裝玻璃的ITO輔助陰極層上。

所述彈性導(dǎo)電支撐柱的材質(zhì)為導(dǎo)電硅膠或摻雜金屬微粒的UV膠、光刻膠等。

一般的OLED結(jié)構(gòu)上，ITO輔助陰極層的厚度為100-300nm，在300nm及以上時(shí)，其透光率很低，而在100nm及以下時(shí)，其電阻率增加，導(dǎo)電性能差。本實(shí)用新型由于增加了彈性導(dǎo)電支撐柱，所述ITO輔助陰極層的厚度可以達(dá)到30nm，既保證了透光率，也不會(huì)影響導(dǎo)電性。

由于金屬陰極薄膜層、ITO輔助陰極層和彈性導(dǎo)電支撐柱三者并聯(lián)的關(guān)系，由并聯(lián)電阻的特征可知：三者的總電阻阻值比任何一個(gè)單一電阻的阻值都小，ITO輔助陰極層、彈性導(dǎo)電支撐柱、金屬陰極薄膜層的整體電阻較金屬陰極薄膜層或ITO輔助陰極層的電阻均要小，在導(dǎo)電性能一致的情況下，ITO輔助陰極層可以做的更薄。

有益效果：本實(shí)用新型所述的OLED結(jié)構(gòu)，在ITO輔助陰極層上、與基板玻璃上pillar柱對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)彈性導(dǎo)電支撐柱，使基板玻璃上金屬陰極薄膜層通過(guò)彈性導(dǎo)電支撐柱與封裝玻璃上的ITO輔助陰極層連接導(dǎo)通，可以降低ITO輔助陰極層的厚度，保證透光率；由于基板玻璃和封裝玻璃中間夾著彈性導(dǎo)電支撐柱，防止因封裝后產(chǎn)生的微量凸起或凹陷而導(dǎo)致的牛頓環(huán)現(xiàn)象；并且OLED器件整體的抗外力沖擊或擠壓能力提高。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型中彈性導(dǎo)電支撐柱的位置原理圖；

圖3是本實(shí)用新型的制作工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

為了加深對(duì)本實(shí)用新型的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述，該實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定。

參見(jiàn)圖1-2所示，一種OLED結(jié)構(gòu)，包括基板玻璃1和封裝玻璃2，所述基板玻璃1上間隔地設(shè)有pillar柱3，所述pillar柱3之間的基板玻璃1上設(shè)有ITO陽(yáng)極層4和有機(jī)層5，在基板玻璃1的pillar柱3和有機(jī)層5上設(shè)有一層連續(xù)的金屬陰極薄膜層6，所述封裝玻璃2內(nèi)側(cè)面上設(shè)有ITO輔助陰極層7，所述ITO輔助陰極層7上、與基板玻璃1上pillar柱3對(duì)應(yīng)的區(qū)域，即圖2中的非像素區(qū)(圖2中，A代表像素區(qū))，設(shè)有彈性導(dǎo)電支撐柱8，使封裝玻璃2上的ITO輔助陰極層7通過(guò)彈性導(dǎo)電支撐柱8與基板玻璃1上金屬陰極薄膜層6連接導(dǎo)通。

所述彈性導(dǎo)電支撐柱8為點(diǎn)狀或條狀，均勻分布于封裝玻璃2的ITO輔助陰極層7上。

所述彈性導(dǎo)電支撐柱8的材質(zhì)為導(dǎo)電硅膠或摻雜金屬微粒的UV膠、光刻膠等。

工藝步驟：

①在沉積有pillar柱3和ITO陽(yáng)極層4的基板玻璃1上，在像素開(kāi)口區(qū)用蒸鍍的方式沉積有機(jī)層；