[實用新型]含定向擴散結的肖特基器件

有效

• 申請號: 201520792159.1
• 申請日: 2015-10-14
• 公開（公告）號: CN204966511U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 洪旭峰;王錳
• 申請（專利權）人: 上海芯石微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種含定向擴散結的肖特基器件，其組成包括：硅單晶基片，其特征是：所述的硅單晶基片上具有外延層，所述的外延層上設置有肖特基勢壘區，所述的肖特基勢壘區與一組臺面凸點P型區配合，所述的肖特基勢壘區上部裝有陽極金屬層，所述的陽極金屬層兩側設置有金屬場板，所述的陽極金屬層兩側與厚氧化層連接，所述的厚氧化層下部裝有P+環，所述的硅單晶基片下部裝有陰極金屬層。

2.根據權利要求1所述的含定向擴散結的肖特基器件，其特征是：所述的硅單晶基片為重摻雜的N型硅單晶基片，所述的外延層為低摻雜的N-外延層，所述的肖特基勢壘區設置有臺面凹面，所述的臺面凸點P型區和所述的肖特基勢壘區共同形成整流結。

3.根據權利要求1所述的含定向擴散結的肖特基器件，其特征是：所述的臺面凸點P型區為硼雜質注入后經過高溫擴散形成，所述的臺面凸點P型區結深比所述的肖特基勢壘區的臺面凹面深度深，但低于所述的P+環的結深，所述的臺面凸點P型區的硼濃度從上向下逐漸降低，且在同水平線方向上，表面濃度低于體內濃度，呈倒置的“小蘑菇”狀；所述的肖特基勢壘區為所述的外延層刻蝕形成的臺面凹面，凹面表面濃度與所述的外延層的摻雜濃度相同。