[實用新型]晶圓切割用保護膜

有效

• 申請號: 201520792148.3
• 申請日: 2015-10-15
• 公開（公告）號: CN205086431U
• 公開（公告）日: 2016-03-16
• 發明（設計）人: 陳來來;葛敬銀;余沖沖;葉智;葉勇
• 申請（專利權）人: 深圳市豐兆新材料股份有限公司
• 主分類號: B32B27/06
• 分類號: B32B27/06
• 代理公司: 深圳市遠航專利商標事務所(普通合伙) 44276
• 代理人: 田志遠

技術領域

本實用新型涉及半導體切割技術領域，具體是說，是涉及一種晶圓切割用保護膜。

背景技術

目前，在晶圓等半導體切割領域通常的方法是采用高粘保護膜，于加熱的條件下覆于晶圓表面，切割后再冷凍取下晶片，最后對晶片進行清洗。但是在切割過成功中，由于局部溫度比較高，常常造成保護膜的膠粘層脫落在晶片表面，需要大量的溶劑去清洗，而有些溶劑會對晶片帶來損傷，并且帶來環境的污染。

上述缺陷，值得解決。

發明內容

為了克服現有的技術的不足,本實用新型提供一種晶圓切割用保護膜。

本實用新型技術方案如下所述：

晶圓切割用保護膜，其特征在于，包括設于晶圓上下兩側的高分子膜，位于所述晶圓下方的所述高分子膜的下方設有高粘膜。

進一步的，所述高粘膜的寬度大于所述晶圓和所述高分子膜。

進一步的，所述高分子膜通過噴涂和浸漬的方式覆于所述晶圓的上下兩側。

進一步的，所述高分子膜為聚乙烯醇縮丁醛。

更進一步的，所述聚乙烯醇縮丁醛采用的是部分水解后的聚乙烯醇進行縮丁醛化處理。

更進一步的，所述聚乙烯醇的水解率為40%-88%。

更進一步的，所述聚乙烯醇的縮醛率為15%-40%。

根據上述結構的本實用新型，其有益效果在于，本實用新型采用噴涂或者浸漬的方式涂覆在晶圓層表面，可以使得高粘膜不與晶圓直接接觸，切割后取下的晶片表面的污染物是粘附在高分子膜的表面，容易清除，避免了有機溶劑的大量使用，方便易于操作，節約了成本，減少了對環境的危害。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

在圖中，1、高分子膜；2、晶圓；3、高粘膜；。

具體實施方式

下面結合附圖以及實施方式對本實用新型進行進一步的描述：

如圖1所示，一種晶圓切割用保護膜，包括設于晶圓2上下兩側的高分子膜1，位于晶圓2下方的高分子膜1的下方設有高粘膜3，其中，高分子膜1通過噴涂和浸漬的方式覆于晶圓2的上下兩側。

優選的，高粘膜3的寬度大于晶圓2和高分子膜1。

在本實用新型中，高分子膜1為部分水解的聚乙烯醇進行縮丁醛化處理，形成聚乙烯醇縮丁醛，并配置成水溶液。優選的，聚乙烯醇的水解率為40%-88%，縮醛率為15%-40%，其濃度為6%-20%。

在晶圓2表面形成了高分子膜1，固定用的高粘膜3不與晶圓2直接接觸，切割過程中脫落的保護膜膠粘劑都粘附在高分子膜1表面，取下晶片后用純凈水在超聲清洗機中很容易的將污染物清除。避免了有機溶劑的大量使用，方便易于操作，節約了成本，減少了對環境的危害。

應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬于本實用新型所附權利要求的保護范圍。

上面結合附圖對本實用新型專利進行了示例性的描述，顯然本實用新型專利的實現并不受上述方式的限制，只要采用了本實用新型專利的方法構思和技術方案進行的各種改進，或未經改進將本實用新型專利的構思和技術方案直接應用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍內。