[實(shí)用新型]一種藍(lán)綠發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520780241.2
• 申請(qǐng)日: 2015-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN205016552U
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林志偉;陳凱軒;張永;姜偉;卓祥景;方天足;陳亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14
• 代理公司: 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203
• 代理人: 廖吉保;唐紹烈

1.一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：包括p區(qū)、n區(qū)及有源區(qū)，有源區(qū)設(shè)置在p區(qū)與n區(qū)之間，在p區(qū)的導(dǎo)電層上設(shè)置p電極；n區(qū)外延結(jié)構(gòu)采用由n型接觸層與電流阻擋層交替構(gòu)成的多級(jí)復(fù)合接觸層，在多級(jí)復(fù)合接觸層上設(shè)置多個(gè)接觸面的n電極。

2.如權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：n電極與多級(jí)復(fù)合接觸層之間形成階梯式的多個(gè)電流擴(kuò)展效果不同的接觸面。

3.如權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：n區(qū)為在襯底上生成非故意摻雜層，非故意摻雜層上生成第一n型導(dǎo)電層，第一n型導(dǎo)電層上生成第一電流阻擋層，第一電流阻擋層上生成第一n型接觸層，第一n型接觸層上生成第二電流阻擋層，第二電流阻擋層上生成第二n型接觸層，第二n型接觸層上生成第三電流阻擋層，第三電流阻擋層上生成與有源區(qū)連接的第二n型導(dǎo)電層。

4.如權(quán)利要求3所述的一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：第一n型接觸層、第二n型接觸層、第二n型導(dǎo)電層的n型摻雜濃度不同，且摻雜濃度符合第一n型接觸層遠(yuǎn)大于第二n型接觸層，第二n型接觸層遠(yuǎn)大于第二n型導(dǎo)電層。

5.如權(quán)利要求3所述的一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：第一電流阻擋層、第二電流阻擋層、第三電流阻擋層構(gòu)成材料包含AlGaN三五族化合物。

6.如權(quán)利要求3所述的一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：第二n型接觸層和第二n型導(dǎo)電層的厚度都小于50nm；第一電流阻擋層、第二電流阻擋層和第三電流阻擋層都小于10nm。

7.如權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：p區(qū)為與有源區(qū)連接的限制層，限制層上生成p型導(dǎo)電層，p型導(dǎo)電層上生成p型接觸層，p型接觸層上生成ITO導(dǎo)電層，p電極設(shè)置在ITO導(dǎo)電層上。

8.如權(quán)利要求1所述的一種藍(lán)綠光發(fā)光二極管芯片，其特征在于：n電極與有源區(qū)和p區(qū)之間設(shè)置電極隔離層。