[實用新型]一種寬帶的中紅外調(diào)制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520779022.2 | 申請日： | 2015-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN205176417U | 公開（公告）日： | 2016-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉志軍;彭昊;蔣亞東 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人： | 裴娜 |
| 地址： | 610054 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 寬帶 紅外 調(diào)制器 | ||
1.一種寬帶的中紅外調(diào)制器，其特征在于，所述中紅外調(diào)制器 為多層結(jié)構(gòu)，中紅外調(diào)制器以二氧化釩為溫控相變材料；所述中紅外 調(diào)制器的多層結(jié)構(gòu)的最下層為金，最上層為二氧化硅，二氧化釩層位 于中紅外調(diào)制器的中部，二氧化釩層的上側(cè)設(shè)有鈦金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的寬帶的中紅外調(diào)制器，其特征在于，中紅 外調(diào)制器的多層結(jié)構(gòu)從下至上依次為金、二氧化硅、二氧化釩、鈦金 屬、二氧化硅。
3.如權(quán)利要求2所述的寬帶的中紅外調(diào)制器，其特征在于，中紅 外調(diào)制器的各層結(jié)構(gòu)的厚度從下至上依次為金100-195nm、二氧化硅 1.1-1.9μm、二氧化釩0.28-0.55μm、鈦金屬5.5-10.5nm、二氧化硅 1.8-3.4μm。
4.如權(quán)利要求3所述的寬帶的中紅外調(diào)制器，其特征在于，中 紅外調(diào)制器的各層結(jié)構(gòu)的厚度從下至上依次為金150nm、二氧化硅 1.5μm、二氧化釩0.4μm、鈦金屬8nm、二氧化硅2.2μm。
5.如權(quán)利要求3所述的寬帶的中紅外調(diào)制器，其特征在于，中 紅外調(diào)制器的各層結(jié)構(gòu)的厚度從下至上依次為金100nm、二氧化硅 1.1μm、二氧化釩0.55μm、鈦金屬5.5nm、二氧化硅1.8μm。
6.如權(quán)利要求3所述的寬帶的中紅外調(diào)制器，其特征在于，中 紅外調(diào)制器的各層結(jié)構(gòu)的厚度從下至上依次為金195nm、二氧化硅 1.9μm、二氧化釩0.28μm、鈦金屬10.5nm、二氧化硅3.4μm。
7.如權(quán)利要求3所述的寬帶的中紅外調(diào)制器，其特征在于，中 紅外調(diào)制器的各層結(jié)構(gòu)的厚度從下至上依次為金135nm、二氧化硅 1.65μm、二氧化釩0.45μm、鈦金屬6.5nm、二氧化硅2.8μm。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
