[實用新型]一種橫向高壓功率半導體器件

有效

• 申請號: 201520778971.9
• 申請日: 2015-09-27
• 公開（公告）號: CN205092246U
• 公開（公告）日: 2016-03-16
• 發明（設計）人: 王坤祥
• 申請（專利權）人: 王坤祥
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種橫向高壓功率半導體器件，包括P型半導體襯底(1)、N型半導體漂移區(2)、P型半導體體區(3)、P型半導體降場層(4)、場氧化層(6)、柵氧化層(7)、多晶硅柵電極(8)、金屬前介質(9)、N型半導體漏區(10)、N型半導體源區(11)、P型半導體體接觸區(12)、源極金屬(13)和漏極金屬(14)，所述N型半導體漂移區(2)和P型半導體體區(3)位于P型半導體襯底(1)上層兩端；所述N型半導體源區(11)和P型半導體體接觸區(12)相互連接并位于P型半導體體區(3)上層，其中N型半導體源區(11)位于靠近N型半導體漂移區(2)的一側；所述源極金屬(13)位于N型半導體源區(11)和P型半導體體接觸區(12)的上表面；所述P型半導體降場層(4)位于N型半導體漂移區(2)中；所述場氧化層(6)位于N型半導體漂移區(2)上表面；所述N型半導體漏區(10)位于N型半導體漂移區(2)上層遠離P型半導體體區(3)的一側；所述漏極金屬(14)位于N型半導體漏區(10)的上表面；所述柵氧化層(7)位于部分N型半導體源區(11)上表面及場氧化層(6)與N型半導體源區(11)之間的器件上表面，所述多晶硅柵電極(8)位于柵氧化層(7)的上表面并沿氧化層(6)上表面向靠近N型半導體漏區(10)的一側延伸；所述源極金屬(13)和漏極金屬(14)之間的器件表面具有金屬前介質(9)；所述源極金屬(13)沿金屬前介質(9)上表面向靠近漏極金屬(14)的一側延伸；所述漏極金屬(14)沿金屬前介質(9)上表面向靠近源極金屬(13)的一側延伸；其特征在于，所述N型半導體漂移區(2)中還具有N型半導體重摻雜層(51)和N型半導體輕摻雜層(52)；所述N型半導體重摻雜層(51)位于P型半導體降場層(4)與氧化層(6)之間；所述N型半導體輕摻雜層(52)位于P型半導體降場層(4)正下方，所述P型半導體降場層(4)的下表面與N型半導體輕摻雜層(52)的上表面連接。