[實用新型]化學機械拋光裝置有效
| 申請號: | 201520776909.6 | 申請日: | 2015-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN205380555U | 公開(公告)日: | 2016-07-13 |
| 發明(設計)人: | 金鐘千;趙玟技 | 申請(專利權)人: | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/10 | 分類號: | B24B37/10;B24B37/005;B24B37/34 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學 機械拋光 裝置 | ||
1.一種化學機械拋光裝置,用于對由氧化物材質形成的晶片的拋光層進行化學機械拋光,其特征在于,包括:
拋光平板,上面被拋光墊覆蓋;
拋光頭,形成有被多個隔壁分割的多個壓力腔室,隔膜的底板位于所述壓力腔室的下側,通過調節所述壓力腔室的壓力,使位于所述底板的下側的所述晶片在被加壓的狀態下進行旋轉;
漿料供給部,向所述拋光墊和所述晶片中的至少一個供給漿料;
第一傳感器,用于檢測所述晶片的厚度分布;以及
控制部,對化學機械拋光工序進行控制,從而在執行使所述晶片的拋光面達到預定的第一拋光厚度為止的化學機械拋光工序期間,一邊調節所述壓力腔室的氣壓,一邊執行所述化學機械拋光工序,以減少所述第一傳感器檢測的所述晶片的厚度偏差,當達到所述第一拋光厚度后,自所述第一拋光厚度到目標厚度為止,不執行減少所述晶片的厚度偏差的拋光厚度偏差調整,而僅執行拋光工序。
2.根據權利要求1所述的化學機械拋光裝置,其特征在于,
所述第一傳感器為,從所述晶片的中心向半徑方向隔著不同距離的兩個以上的光傳感器。
3.根據權利要求1所述的化學機械拋光裝置,其特征在于,
所述第一傳感器為用于檢測達到所述目標厚度的狀態的光傳感器。
4.根據權利要求1所述的化學機械拋光裝置,其特征在于,
還包括電流測定部,所述電流測定部用于監視對拋光平板進行旋轉驅動的馬達的電流,所述拋光平板被所述拋光墊覆蓋,
所述控制部通過所述電流測定部的電流變動檢測所述控制部是否從所述第一拋光厚度達到目標厚度。
5.一種化學機械拋光裝置,用于對由金屬材質形成的晶片的拋光層進行化學機械拋光,其特征在于,包括:
拋光平板,上面被拋光墊覆蓋;
拋光頭,形成有被多個隔壁分割的多個壓力腔室,隔膜的底板位于所述壓力腔室的下側,通過調節所述壓力腔室的壓力,使位于所述底板的下側的所述晶片在被加壓的狀態下進行旋轉;
漿料供給部,向所述拋光墊和所述晶片中的至少一個供給漿料;
第一傳感器,用于檢測所述晶片的厚度分布;以及
控制部,對化學機械拋光工序進行控制,從而在從所述漿料供給部供給漿料并執行使所述晶片的拋光面達到預定的第一拋光厚度為止的化學機械拋光工序期間內,一邊調節所述壓力腔室的氣壓,一邊執行所述化學機械拋光工序,以減少所述第一傳感器檢測的所述晶片的厚度分布,當達到所述第一拋光厚度后,自所述第一拋光厚度到目標厚度為止,不執行減少所述晶片的厚度分布的拋光厚度偏差調整,而僅執行拋光工序。
6.根據權利要求5所述的化學機械拋光裝置,其特征在于,
所述第一傳感器為,從所述晶片的中心向半徑方向隔著不同距離的一個以上的渦流傳感器。
7.根據權利要求5所述的化學機械拋光裝置,其特征在于,
所述第一傳感器為用于檢測達到所述目標厚度的狀態的渦流傳感器。
8.根據權利要求5所述的化學機械拋光裝置,其特征在于,
還包括第二傳感器,所述第二傳感器由用于檢測達到所述目標厚度的狀態的光傳感器形成,所述第二傳感器根據所述拋光層的厚度達到目標厚度時所接收的光照強度變化來檢測達到所述目標厚度的狀態。
9.根據權利要求5所述的化學機械拋光裝置,其特征在于,
還包括馬達電流測定部,所述馬達電流測定部用于監視對拋光平板進行旋轉驅動的馬達的電流,所述拋光平板被所述拋光墊覆蓋,
所述控制部通過所述電流測定部的電流變動來檢測所述控制部是否從所述第一拋光厚度達到目標厚度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于K.C.科技股份有限公司,未經K.C.科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520776909.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種金相研磨拋光夾持工具
- 下一篇:新型金屬工件表面打磨車





