[實用新型]化學機械式磨光裝置

有效

• 申請號: 201520771841.2
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN205102768U
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 任樺爀;金旻成
• 申請（專利權）人: K.C.科技股份有限公司
• 主分類號: G01B7/06
• 分類號: G01B7/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 蘇銀虹;曾世驍

技術領域

本實用新型涉及化學機械式磨光裝置及，尤其是涉及在化學機械式磨光工程中，利用渦電流傳感器可正確地測定晶片的邊緣厚度的化學機械式磨光裝置。

背景技術

一般化學機械式磨光(ChemicalMechanicalPolishing：CMP)工程是在旋轉的磨光平臺上以晶片等基板所接觸的狀態旋轉，使得執行機械式的磨光且將基板的表面做成平坦，達到預定的厚度的工程。

為此，如圖1及圖2示出，化學機械式磨光設備1是將磨光墊片11覆蓋在磨光平臺12上的狀態自轉，并用導輪頭部20將晶片W加壓至磨光墊片11的表面并旋轉，使晶片W的表面磨光成平坦。為此，具備做旋轉30r和旋回運動30d進行改進的調節器30，使磨光墊片11的表面維持一定的狀態，且通過料漿供給單元40供給在磨光墊片11的表面執行化學式磨光的料漿。并且，導輪頭部20將晶片W位于低面的狀態加壓并旋轉20d。

一方面，經化學機械式磨光工程磨光的晶片W的膜厚度要正確地被調整。為此，按照韓國公開專利公告第2001-93678號等公開的現有技術，當晶片W的磨光層是由金屬材料形成的導電層時，以渦電流傳感器50固定在磨光墊片11的狀態下，與磨光平臺10一起渦電流傳感器50進行旋轉50r，并接近導電層在渦電流傳感器50的傳感器線圈外加交流電流，從渦電流傳感器50將渦電流信號外加到晶片導電層，且在渦電流傳感器50接收包括導電層的電抗成分和電阻成分的接收信號，使用從合成阻抗的變化量檢測導電層的層厚度變化的構成。

在這種情況下，從渦電流傳感器50將渦電流信號外加到晶片的導電層，由外加的渦電流信號在導電層形成磁場，且形成在導電層的磁場受到導電層的厚度變化影響，包括電抗成分和電阻成分等的輸出信號作為接收信號由渦電流傳感器50接收。在這種情況下，形成在導電層的磁場離渦電流傳感器50的位置越遠則越小，不影響接收信號，且越接近渦電流傳感器50的位置，越影響接收信號。據此，以渦電流傳感器50為中心，相當于渦電流傳感器50直徑數倍的磁場領域形成影響渦電流傳感器50的接收信號的有效信號領域50E。

因此，當渦電流傳感器50在離晶片W的邊緣被充分隔離的位置A1時，渦電流傳感器50的有效信號領域50E都是在晶片導電層形成的正常領域E1，所以從晶片W接收的接收信號Sol如圖4a所示，經整個領域(-50E/2～50E/2)被正常地接收，所以從渦電流傳感器50所接收的接收信號Sol可正確地感知晶片導電層的厚度。

但是，當渦電流傳感器50在晶片W的邊緣附近的位置A2時，渦電流傳感器50的有效信號領域50E中的一部分是形成在晶片導電層的正常領域E1，但是其他一部分是形成在晶片導電層外部的脫離領域，所以從晶片W接收的接收信號Sol如圖4b所示，僅在一部分正常領域E1正常的接收，在導電層外部的脫離領域E2無法形成磁場，發生無法接收的現象。由此，渦電流傳感器50在位于晶片邊緣的狀態，以接收的接收信號Sol感知到晶片導電層的厚度時，在有效信號領域50E中，以由脫離領域E2的空信號被歪曲的接收數據測定導電層厚度，因此具有不可正確地感知在晶片邊緣的磨光層厚度的問題。

實用新型內容

技術課題

本實用新型是為了解決所述相同的問題，以在化學機械式磨光工程中的晶片邊緣也能正確地感知導電層厚度為目的。

據此，本實用新型的目的在于，對于晶片的邊緣也能正確地控制磨光厚度，從而在晶片邊緣也可制作正常的半導體組件提高生產性。

技術方案

本實用新型為了達成上述的目的提供了一種晶片化學機械式磨光裝置，其特征在于，所述化學機械式磨光裝置包括：磨光平臺，上面覆蓋有磨光墊片，且自轉；導輪頭部，位于晶片W的上方，將所述晶片加壓至所述磨光墊片，并旋轉；驅動單元，連接到磨光平臺，并使磨光平臺旋轉；渦電流傳感器，固定于所述磨光平臺，與所述磨光平臺一起旋轉，并產生渦電流且接收第一接收信號；旋轉位置感知單元，連接到驅動單元，并感知固定在所述磨光平臺的所述渦電流傳感器的旋轉位置；和控制單元，連接到旋轉位置感知單元，并且當所述渦電流傳感器通過所述晶片的下側，從接收的第一接收信號感知到所述晶片導電層厚度，以及經所述旋轉位置感知單元，感知到所述渦電流傳感器通過所述晶片的邊緣時，所述控制單元將所述渦電流傳感器位于所述晶片的邊緣期間接收的第一接收信號進行修正，以修正所述導電層的厚度。