[實用新型]電流感測裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520770627.5 | 申請日： | 2015-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN205080180U | 公開（公告）日： | 2016-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號： | G01R19/00 | 分類號： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 張偉;王英 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 流感 裝置 | ||
1.一種電流感測裝置，包括：
感測MOSFET；
功率MOSFET；以及
補(bǔ)償MOSFET，
其中，
所述補(bǔ)償MOSFET的漏極和所述功率MOSFET的漏極連接在一起，所述感測MOSFET的柵極和所述功率MOSFET的柵極連接在一起，并且所述補(bǔ)償MOSFET被配置為對由所述感測MOSFET與所述功率MOSFET的單位指狀分支寬度的不同而引起的漏極端寄生電阻差進(jìn)行補(bǔ)償，其中所述感測MOSFET、所述功率MOSFET以及所述補(bǔ)償MOSFET都是LD-MOSFET器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流感測裝置，其中，所述感測MOSFET的源極和所述功率MOSFET的源極連接在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流感測裝置，其中，所述感測MOSFET、所述功率MOSFET以及所述補(bǔ)償MOSFET都是N溝道LD-MOSFET器件或都是P溝道LD-MOSFET器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流感測裝置，其中，所述電流感測裝置還包括分流電阻器，其中所述分流電阻器的一端連接到所述感測MOSFET的源極，并且所述分流電阻器的另一端連接到所述功率MOSFET的源極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流感測裝置，其中，所述電流感測裝置還包括參考電流源、參考電阻器和運算放大器，其中所述參考電流源與所述參考電阻器串聯(lián)連接，所述參考電流源與所述參考電阻器的串聯(lián)連接節(jié)點被連接到所述運算放大器的第一輸入端，所述運算放大器的第二輸入端連接到所述感測MOSFET的源極，并且所述運算放大器的輸出端連接到所述感測MOSFET的柵極和所述功率MOSFET的柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的任一項所述的電流感測裝置，其中，所述補(bǔ)償MOSFET的柵極連接到具有固定電壓的電壓源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任一項所述的電流感測裝置，其中，所述補(bǔ)償MOSFET的柵極連接到具有浮動電壓的電壓源。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電流感測裝置，其中，所述具有浮動電壓的電壓源包括可調(diào)節(jié)的偏置電流源、第一MOSFET以及第二MOSFET，其中所述第一MOSFET的柵極和漏極連接在一起，所述第一MOSFET的柵極和漏極連接到所述可調(diào)節(jié)的偏置電流源和所述補(bǔ)償MOSFET的柵極，所述第一MOSFET的源極連接到所述第二MOSFET的漏極，所述第二MOSFET的柵極連接到所述補(bǔ)償MOSFET的源極，所述第二MOSFET的源極接地，并且所述感測MOSFET的柵極連接到具有固定電壓的電壓源，其中所述第一MOSFET和所述第二MOSFET都是LD-MOSFET器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流感測裝置，其中所述第一MOSFET和所述第二MOSFET都是N溝道LD-MOSFET器件或都是P溝道LD-MOSFET器件。
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