[實(shí)用新型]一種快速恢復(fù)二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520769928.6
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN204991719U
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳迪;劉鉞楊;何延強(qiáng);董少華;曹功勛;劉江;金銳;溫家良
• 申請（專利權(quán)）人: 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;國網(wǎng)上海市電力公司;國家電網(wǎng)公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/66;H01L21/28
• 代理公司: 北京安博達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種快速恢復(fù)二極管，所述二極管包括：具有三個具有間隔的P型硅區(qū)(3)的且表面有氧化層(2)的N型硅襯底(1)，所述氧化層(2)上的多晶層(5)，所述多晶層(5)上的陽極金屬層和所述N型硅襯底(1)上與其相對的陰極金屬層，其特征在于，所述P型硅區(qū)(3)具有深能級摻雜區(qū)(4)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，居中的所述P型硅區(qū)(3)為有源區(qū)，兩邊的為終端保護(hù)區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述P型硅區(qū)(3)的深度為5-25μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述氧化層(2)的厚度為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述多晶層(5)的材料為硅，厚度為

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述深能級摻雜區(qū)(4)的摻雜雜質(zhì)為金、鉑或鈀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快速恢復(fù)二極管，其特征在于，所述深能級摻雜區(qū)(4)的深度小于所述P型硅區(qū)(3)。