[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201520769614.6
• 申請日: 2015-09-29
• 公開（公告）號: CN205140988U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: B·帕德瑪納伯翰;P·文卡特拉曼;Z·豪森;劉春利;J·麥克唐納
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L27/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李玲

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

半導體襯底，具有第一主表面和相對的第二主表面；

鄰近所述第一主表面的異質結構，所述異質結構包括：

溝道層；以及

在所述溝道層上方的勢壘層；

第一電極，設置成靠近溝道層的第一部分；

第二電極，設置成靠近所述溝道層的第二部分并且與第一電極間隔開；

第三電極，設置在所述半導體襯底的第二主表面上；

第一控制電極，設置在第一電極與第二電極之間并且配置成控制在所述第一電極和所述第二電極之間的第一電流通道；

溝槽電極，延伸穿過異質結構進入半導體襯底，其中溝槽電極電耦接到第一電極；以及

箝位器件，設置在半導體襯底中并且電耦接到溝槽電極并且電耦接到第三電極，其中所述箝位器件配置成提供垂直于第一電流通道的第二電流通道。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述半導體器件包括III-V族晶體管結構；

所述第一電極包括覆蓋溝槽電極的指狀物；

所述箝位器件具有比III-V族晶體管結構的額定電壓高的擊穿電壓；以及

所述半導體器件進一步包括：

引線框，具有管芯焊盤和與管芯焊盤有間隔關系的多個引線，其中第三電極附著到管芯焊盤，而第一電極電耦接到第一引線；以及

常關半導體晶體管器件，具有第一載流電極、第二載流電極和第二控制電極，其中：

所述第一載流電極電耦接到第三電極并且配置成與地耦接，

所述第二載流電極電耦接到第二電極，

所述第一控制電極電耦接到第一載流電極，以及

所述第二控制電極電耦接到第三引線。

3.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

半導體襯底，具有第一主表面和相對的第二主表面；

鄰近所述第一主表面的異質結構，所述異質結構包括：

溝道層；以及

在溝道層上方的勢壘層；

第一電極，設置成靠近溝道層的第一部分；

第二電極，設置成靠近溝道層的第二部分并且與第一電極間隔開；

第一控制電極，設置在第一電極與第二電極之間并且配置成控制在第一電極和第二電極之間的第一電流通道；

第一溝槽電極，延伸穿過異質結構進入半導體襯底中，其中第一溝槽電極電耦接到第一電極；以及

箝位器件，設置在半導體襯底中并且電耦接到溝槽電極并且電耦接到第三電極，其中所述箝位器件配置成提供第二電流通道。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：

所述第三電極設置在異質結構上，并且與第一電極間隔開并且通過第二溝槽電極電耦接到箝位器件；

所述箝位器件包括設置在半導體襯底中的多個背對背二極管；以及

所述第二電流通道與第一電流通道橫向分隔開。

5.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

半導體襯底，具有第一主表面和相對的第二主表面；

鄰近所述第一主表面的異質結構，所述異質結構包括：

溝道層；以及

在溝道層上方的勢壘層；

第一電極，設置成靠近溝道層的第一部分，所述第一電極包括附著到第一焊盤部分的多個第一指狀物；

第二電極，設置成靠近溝道層的第二部分并且與第一電極間隔開，所述第二電極包括與多個第一指狀物交叉并且附著到第二焊盤部分的多個第二指狀物；

第三電極，設置在半導體襯底的第二主表面上；

第一控制電極，設置在第一電極與第二電極之間并且配置成控制在第一電極和第二電極之間的第一電流通道；

第四電極，電耦接到半導體襯底靠近第一主表面處并且電耦接到第一電極；以及

箝位器件，設置在半導體襯底中并且電耦接到第四電極并且電耦接到第三電極，其中所述箝位器件配置成提供垂直于第一電流通道的第二電流通道。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于：

所述箝位器件包括具有第一導電類型并且鄰近第四電極的下表面的第一摻雜區，以及

所述半導體襯底包括：

半導體區域，鄰近第一摻雜區本征摻雜；以及

第二摻雜區，具有與第一導電類型相反的第二導電類型且鄰近第二主表面。