[實用新型]超薄IGBT芯片及利用該芯片封裝的功率模塊

有效

• 申請號: 201520767211.8
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN205122592U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 步建康;徐朝軍;李士垚
• 申請（專利權）人: 河北昂揚微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 石家莊科誠專利事務所 13113
• 代理人: 張紅衛;劉謨培

1.一種超薄IGBT芯片，包括溝槽（11），在溝槽（11）內設有多晶硅（12），在溝槽（11）上設有用于密封多晶硅（12）、具有壓縮型表面張力的TEOS層（13），其特征在于：所述TEOS層（13）上層疊有張力型表面張力層（14）。

2.根據權利要求1所述的超薄IGBT芯片，其特征在于：所述張力型表面張力層（14）為氮化硅層。

3.一種利用超薄IGBT芯片封裝的功率模塊，基于權利要求1或2中所述的超薄IGBT芯片封裝，其特征在于：包括超薄IGBT芯片（1），在超薄IGBT芯片（1）上層疊有鈍化層（2），所述鈍化層（2）包括豎向層疊的上下兩層，所述下層為層疊于超薄IGBT芯片（1）上方的壓縮型氮化硅鈍化層（21），上層為疊層于壓縮型氮化硅鈍化層（21）的張力型氮化硅鈍化層（22）。