[實(shí)用新型]基于雙口Flash控制器的Nand Flash壞列管理設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520761263.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204945995U | 公開(公告)日: | 2016-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李永軍;楊松;楊磊;邱禮勝;曾偉軍;李慈航;唐棋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都嘉泰華力科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G06F12/02 | 分類號(hào): | G06F12/02;G06F7/58 |
| 代理公司: | 成都金英專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 flash 控制器 nand 管理 設(shè)備 | ||
1.基于雙口Flash控制器的NandFlash壞列管理設(shè)備,其特征在于:包括雙口Flash控制器、偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器、數(shù)據(jù)比較器、壞列控制器和NandFlash緩沖器;
所述雙口Flash控制器設(shè)置在FPGA芯片內(nèi),雙口Flash控制器連接有多個(gè)雙口存儲(chǔ)器,雙口Flash控制器包括多個(gè)通道,多個(gè)通道分別與多個(gè)雙口存儲(chǔ)器一一對(duì)應(yīng)連接;
所述偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的輸出分別與數(shù)據(jù)比較器和雙口Flash控制器的輸入連接,雙口Flash控制器的輸出與數(shù)據(jù)比較器的輸入連接,數(shù)據(jù)比較器的輸出與壞列控制器的輸入連接,雙口Flash控制器分別與壞列控制器和NandFlash連接進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,壞列控制器與NandFlash緩沖器連接進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙口Flash控制器的NandFlash壞列管理設(shè)備,其特征在于:所述通道和雙口存儲(chǔ)器的數(shù)量均為兩個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙口Flash控制器的NandFlash壞列管理設(shè)備,其特征在于:所述多個(gè)通道之間相互獨(dú)立設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙口Flash控制器的NandFlash壞列管理設(shè)備,其特征在于:所述FPGA芯片還包括PCI接口,雙口存儲(chǔ)器設(shè)置在PCI接口與雙口NandFlash控制器之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于雙口Flash控制器的NandFlash壞列管理設(shè)備,其特征在于:所述雙口存儲(chǔ)器的第一端與PCI接口連接,雙口存儲(chǔ)器的第二端與雙口Flash控制器連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙口Flash控制器的NandFlash壞列管理設(shè)備,其特征在于:所述偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器包括輸入電路、CRC校驗(yàn)電路、干擾電路、映射電路、狀態(tài)緩存器和抽樣電路,輸入電路的輸出端與CRC校驗(yàn)電路的第一輸入端連接,CRC校驗(yàn)電路的輸出端與映射電路的第一輸入端連接,干擾電路的輸出端與映射電路的第二輸入端連接,映射電路的輸出端分別與抽樣電路和狀態(tài)緩存器的輸入端連接,狀態(tài)緩存器的輸出端與CRC校驗(yàn)電路的第二輸入端連接。
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