[實用新型]N型雙面電池有效
| 申請號: | 201520758996.2 | 申請日: | 2015-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN204966513U | 公開(公告)日: | 2016-01-13 |
| 發明(設計)人: | 張松;王培然;劉超;夏世偉;季海晨 | 申請(專利權)人: | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何沖 |
| 地址: | 201615 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 電池 | ||
1.一種N型雙面電池,其特征在于,包括:
N型硅片,所述N型硅片具有第一絨面和第二絨面,所述N型硅片的第一絨面側包括p+摻雜區域和p++重摻雜區域,所述p+摻雜區域形成于所述第一絨面上,所述p++重摻雜區域與所述p+摻雜區域接觸相鄰,且所述p++重摻雜區域的頂部表面與所述p+摻雜區域的頂部表面齊平,所述p++重摻雜區域延伸至所述N型硅片內,
所述N型硅片的第二絨面側包括n+摻雜區域和n++重摻雜區域,所述n+摻雜區域形成于所述第二絨面上,所述n++重摻雜區域與所述n+摻雜區域接觸相鄰,且所述n++重摻雜區域的頂部表面與所述n+摻雜區域的頂部表面齊平,所述n++重摻雜區域延伸至所述N型硅片內;
第一鈍化減反射膜層和第二鈍化減反射膜層,所述第一鈍化減反射膜層覆蓋所述p+摻雜區域和所述p++重摻雜區域,所述第二鈍化減反射膜層覆蓋所述n+摻雜區域和所述n++重摻雜區域;以及
第一電極和第二電極,所述第一電極和所述第二電極分別位于所述第一鈍化減反射膜層和所述第二鈍化減反射膜層上。
2.根據權利要求1所述的N型雙面電池,其特征在于,所述第一絨面和所述第二絨面的形狀均為金字塔狀。
3.根據權利1所述的N型雙面電池,其特征在于,所述p++重摻雜區域的深度為0.5-1.5微米,所述p+摻雜區域的深度為0.3-0.5微米。
4.根據權利要求3所述的N型雙面電池,其特征在于,所述p++重摻雜區域的方塊電阻小于等于40Ω/□,所述p+摻雜區域的方塊電阻小于等于60Ω/□。
5.根據權利要求1所述的N型雙面電池,其特征在于,所述n++重摻雜區域的深度為0.5-1.5微米,所述n+摻雜區域的深度為0.3-0.5微米。
6.根據權利要求5所述的N型雙面電池,其特征在于,所述n++重摻雜區域的方塊電阻小于等于40Ω/□,所述n+摻雜區域的方塊電阻小于等于60Ω/□。
7.根據權利要求1所述的N型雙面電池,其特征在于,所述p++重摻雜區域和所述n++重摻雜區域呈對稱分布。
8.根據權利要求1所述的N型雙面電池,其特征在于,所述第一鈍化減反射膜層和所述第二鈍化減反射膜層均為二氧化硅膜層、氮化硅膜層、二氧化鈦膜層或氧化鋁膜層。
9.根據權利要求1所述的N型雙面電池,其特征在于,所述第一鈍化減反射膜層和所述第二鈍化減反射膜層均為二氧化硅膜層、氮化硅膜層、二氧化鈦膜層以及氧化鋁膜層中任何兩種或兩種以上膜層層疊的多層膜。
10.根據權利要求8或9所述的N型雙面電池,其特征在于,所述第一鈍化減反射膜層和所述第二鈍化減反射膜層的厚度均為50-80nm,所述第一鈍化減反射膜層和所述第二鈍化減反射膜層的折射率均為2.0-2.1。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





