[實用新型]陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201520756091.1
• 申請日: 2015-09-28
• 公開（公告）號: CN204964957U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 田允允;崔賢植;嚴允晟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1345
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫之剛;景軍平

技術領域

本公開一般涉及顯示技術領域。更具體地，本公開涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術

隨著薄膜場效應晶體管液晶顯示（TFT-LCD）技術的發展和工業技術的進步，液晶顯示器的生產成本持續降低并且制造工藝日益完善，因而已經取代陰極射線管顯示器而成為平板顯示領域中的主流技術。TFT-LCD顯示器因其本身所具有的體積小、功耗低、無輻射等優點而成為理想的顯示裝置。

目前，TFT-LCD按照顯示模式可以分為：扭曲向列（TN，TwistedNematic）類型、平面轉換（IPS，InPlaneSwitching）類型和高級超維場開關（ADS，AdvancedSuperDimensionSwitch）類型。其中，ADS類型TFT-LCD通常通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場來形成多維電場，使得在液晶盒內的狹縫電極之間和電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并且增大了透光效率。ADS技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，使得顯示裝置具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（pushMura）等優點。

圖1圖示了現有技術ADS型陣列基板的橫截面示意圖。如圖1所示，從下至上，陣列基板依次包括同層布置的像素電極3、薄膜晶體管的柵極和公共電極線圖形（未示出）、柵極絕緣層7、鈍化層8、薄膜晶體管的源極、漏極和數據線圖形5，以及公共電極2。相應地，現有ADS型陣列基板的制作方法一般包括：在透明基板上形成同層布置的像素電極、薄膜晶體管的柵極和公共電極線圖形；形成柵極絕緣層；形成有源層圖形；形成薄膜晶體管的源極、漏極和數據線圖形；形成鈍化層；以及在鈍化層上方形成公共電極。

圖1中所示的陣列基板中所存在的問題在于，如圖2所示，與薄膜晶體管的柵極1同層布置的公共電極線4和像素電極3二者連接不同的信號線，因此在二者之間需要存在一定間隔d以保證公共電極線4和像素電極3中的信號之間沒有串擾。公共電極線4和像素電極3之間的間隔降低了對應部分的液晶的工作效率，進而降低了像素的透過率。

實用新型內容

本公開的一個目的是提供一種使用在ADS類型TFT-LED中的陣列基板及其制作方法，其能夠至少部分地緩解或消除現有技術中所存在的問題。

根據本公開的第一方面，提供了一種陣列基板，包括多條柵線、與多條柵線交叉的多條數據線以及由多條柵線和多條數據線交叉定義的多個像素單元，每一個像素單元包括薄膜晶體管、柵極絕緣層、布置在柵極絕緣層一側上的鈍化層、像素電極和公共電極，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間，公共電極布置在與鈍化層相對的柵極絕緣層的另一側上，像素電極布置在鈍化層上。

相比于上述現有技術中的陣列基板，在本公開所提供的陣列基板中，通過將像素電極和公共電極的位置互換，像素電極與公共電極線不再同層布置，因此消除了在像素電極與公共電極線之間設置間隔以保證二者之間沒有串擾的需要。所述間隔的消除提升了液晶的工作效率，進而提升了像素的透過率。

根據一個實施例，上述陣列基板還可以包括與像素電極同層布置并且位于數據線上方的屏蔽電極。

在向數據線施加電壓的情況下，由數據線產生的電場會導致數據線上方及兩側的液晶分子無法有效偏轉，從而造成漏光的問題。為了解決這一問題，可以在數據線上方形成屏蔽電極，用于屏蔽數據線所產生的電場，從而防止該電場影響液晶分子的有效偏轉。發明人已經發現，相比于在沒有屏蔽電極的情況下的至少18-28μm寬的黑矩陣，在存在屏蔽電極的情況下，黑矩陣的寬度可以減小到6-8μm，從而極大地提高顯示裝置的開口率。

根據另一實施例，公共電極可以具有矩陣結構，所述公共電極包括多個子公共電極，并且每一個像素單元對應于一個子公共電極。可選地，公共電極的矩陣結構在垂直于數據線的方向上通過公共電極線連接，公共電極與公共電極線直接接觸電連接。并且可選地，公共電極的矩陣結構在平行于數據線的方向上通過連接電極連接，所述連接電極與公共電極設置于不同層，并且所述連接電極分別與相鄰的子公共電極通過過孔連接。具體地，所述過孔制作在柵極絕緣層和鈍化層中。

根據一個實施例，屏蔽電極在垂直于數據線的方向上通過屏蔽電極連接線相互連接，其中屏蔽電極與屏蔽電極連接線由相同材料形成。