[實用新型]針扎光電二極管以及電子器件

有效

• 申請號: 201520748643.4
• 申請日: 2015-09-24
• 公開（公告）號: CN205355067U
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: L·法韋內克;D·迪塔特;F·魯瓦
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司;意法半導體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種針扎光電二極管，其特征在于，包括：

第一導電類型的轉換區域，形成在第二導電類型的襯底上，所述轉換區域被配置成將光子轉換成電荷；

所述第二導電類型的擴散層，形成在所述轉換區域上；和

重摻雜絕緣體層，所述重摻雜絕緣體層涂覆所述擴散層，所述重摻雜絕緣體層是所述第二導電類型的。

2.根據權利要求1所述的針扎光電二極管，其特征在于，所述重摻雜絕緣體層是處于從5x10²¹at./cm³至2x10²²at./cm³硼濃度的摻雜硼的氧化硅。

3.根據權利要求1所述的針扎光電二極管，其特征在于，進一步包括被定位在所述擴散層與所述轉換區域之間的所述第二導電類型的淺半導體區域。

4.根據權利要求3所述的針扎光電二極管，其特征在于，所述淺半導體區域具有在10¹⁸at./cm³的數量級上的最大摻雜并且所述擴散層具有在10²⁰at./cm³的數量級上的最大摻雜。

5.一種電子器件，其特征在于，包括：

轉移晶體管；和

針扎光電二極管，所述針扎光電二極管包括：

第一導電類型的轉換區域，形成在第二導電類型的襯底上，所述轉換區域被配置成將光子轉換成電荷；

所述第二導電類型的擴散層，形成在所述轉換區域上；和

重摻雜絕緣體層，所述重摻雜絕緣體層涂覆所述擴散層，所述重摻雜絕緣體層是所述第二導電類型的。

6.根據權利要求5所述的電子器件，其特征在于，進一步包括被定位在所述擴散層與所述轉換區域之間的所述第二導電類型的淺半導體區域。

7.根據權利要求6所述的電子器件，其特征在于，所述淺半導體區域具有在10¹⁸at./cm³的數量級上的最大摻雜并且所述擴散層具有在10²⁰at./cm³的數量級上的最大摻雜。

8.根據權利要求5所述的電子器件，其特征在于，所述轉移晶體管包括絕緣柵極、漏極和源極，所述源極是所述轉換區域的至少一部分。