[實(shí)用新型]陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520748618.6
• 申請日: 2015-09-24
• 公開（公告）號: CN204905257U
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳傳寶;馬俊才
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例涉及一種陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)

高級超維場轉(zhuǎn)換(AdvancedSuperDimensionSwitch，ADS)技術(shù)由于具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各類顯示裝置中。在ADS液晶顯示裝置中，像素電極和公共電極都設(shè)置于陣列基板上，例如，像素電極可以具有板狀結(jié)構(gòu)，公共電極可以具有狹縫狀結(jié)構(gòu)，像素電極設(shè)置于公共電極和陣列基板的襯底基板之間。通過對公共電極和像素電極加載數(shù)據(jù)電壓可以控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而控制通過液晶面板的光線。

陣列基板上設(shè)置有多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，這些柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定多個(gè)子像素單元。例如，可以通過對柵線依次施加?xùn)艗呙栊盘栆詫?shí)現(xiàn)圖像顯示。為更好地滿足顯示效果的需要，像素電極上的電壓通常需要能夠保持在某個(gè)電壓值上，直到下一幀柵掃描信號到來。如果維持在像素電極上的電壓過早下降，則會降低ADS液晶顯示裝置的顯示效果。因此，通常ADS陣列基板中的每一子像素單元都包括一個(gè)存儲電容來滿足保持像素電極電壓穩(wěn)定的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示裝置，以在保證子像素單元的開口率的前提下增大陣列基板的存儲電容。

本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種陣列基板，其包括子像素單元，所述子像素單元包括第一透明公共電極、像素電極和第二透明公共電極；所述像素電極設(shè)置于所述第一透明公共電極上方并且與所述第一透明公共電極相絕緣，所述第一透明公共電極在所述像素電極所在面上的正投影與所述像素電極有重疊部分；以及所述第二透明公共電極設(shè)置于所述像素電極上方并且與所述像素電極相絕緣。

例如，所述陣列基板還可以包括平坦層其設(shè)置于所述像素電極與所述第二透明公共電極之間。

例如，所述第一透明公共電極的所述正投影可以位于所述像素電極所在區(qū)域內(nèi)。

例如，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定所述子像素單元，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線中的至少之一在所述第一透明公共電極所在面上的正投影可以位于所述第一透明公共電極所在區(qū)域之外。

例如，所述陣列基板還可以包括公共電極線，所述第一透明公共電極可以與所述公共電極線直接接觸，并且二者之間的接觸區(qū)域與所述第一透明公共電極在所述公共電極線所在面上的正投影所在的區(qū)域一致。

例如，所述公共電極線與所述柵線同層設(shè)置，則所述陣列基板還可以包括覆蓋所述柵線的端部的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以與所述第一透明公共電極同層設(shè)置；或者所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，則所述陣列基板還可以包括覆蓋所述數(shù)據(jù)線的端部的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以與所述第一透明公共電極同層設(shè)置。

例如，所述第一透明公共電極可以具有鏤空部，所述鏤空部在所述像素電極所在面上的正投影位于所述像素電極所在區(qū)域中。

例如，沿所述第一透明公共電極所在面方向，所述鏤空部的平面形狀可以為多邊形、圓形或橢圓形。

例如，所述子像素單元還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層，所述有源層與所述第一透明公共電極可以同層設(shè)置。

本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括以上任一項(xiàng)所述的陣列基板。

在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板、顯示裝置中，通過設(shè)置與像素電極交疊的第一透明公共電極，使得第一透明公共電極和像素電極之間產(chǎn)生電容，以獲得更大的存儲電容；第一透明公共電極設(shè)置為透明，可以保證陣列基板的開口率；此外，第一透明公共電極設(shè)置于像素電極的遠(yuǎn)離第二透明公共電極的一側(cè)，可以盡量避免對像素電極與第二透明公共電極之間產(chǎn)生的用于控制液晶的電場造成影響。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，而非對本實(shí)用新型的限制。

圖1a為一種ADS陣列基板的俯視示意圖；

圖1b為沿圖1a中AA線、BB線和CC線的剖視示意圖；

圖2a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖；

圖2b為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板沿圖2a中aa線、bb線和cc線的剖視示意圖；

圖3a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板中柵線的端部設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖3b為沿圖3a中EE線的剖視示意圖；