[實用新型]一種抗PID耐風沙晶硅太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201520741597.5 | 申請日: | 2015-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN204905272U | 公開(公告)日: | 2015-12-23 |
| 發明(設計)人: | 倪志春;魏青竹;蔡霞;許志翔;陳國清 | 申請(專利權)人: | 中利騰暉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H02S30/10 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 仇波 |
| 地址: | 215542 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pid 風沙 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本實用新型屬于光伏太陽能電池領域,具體涉及一種抗PID耐風沙晶硅太陽能電池組件。
背景技術
太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源,也是清潔能源,不產生任何的環境污染。在太陽能的有效利用當中,太陽能光電利用是近些年來發展最快、最具活力的研究領域。晶體硅太陽能電池主要是以半導體材料為基礎,其工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電轉換反應直接把光能轉化成電能的裝置。
目前,常規晶體硅太陽能組件的主要結構為:鋼化玻璃層、乙烯和醋酸乙烯酯嵌段共聚物、電池片、背板和鋁合金邊框,整個組件重量約為20kg左右。近幾年的研究表明,存在于晶體硅光伏組件中的電路與其接地金屬邊框之間的高電壓,會造成組件的光伏性能的持續衰減。而且常規抗PID(PotentialInducedDegradation,即電勢誘導衰減)組件在使用3-5年后,組件功率衰減明顯,組件壽命期間功率衰減過多,組件壽命變短,導致電站發電量明顯下降。現有常規晶體硅組件背板一般采用雙面涂覆型背板,其沙落砂測試一般為5L/μm左右,抗風沙能力較弱,并且普通含氟背板在回收時,會有氟化物產生,對環境有氟污染的風險。
發明內容
本實用新型目的是為了克服現有技術的不足而提供一種抗PID耐風沙晶硅太陽能電池組件。
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種抗PID耐風沙晶硅太陽能電池組件,它包括太陽能電池串、層疊于所述太陽能電池串兩側的聚烯烴層、層疊于其中一所述聚烯烴層上的前板玻璃層、層疊于另一所述聚烯烴層上的背板、用于夾住所述背板和所述前板玻璃層的邊框以及安裝在所述背板上用于連接所述太陽能電池串和外部線路的接線盒。
優化地,所述背板的材質為聚酰胺。
進一步地,所述太陽能電池串由至少兩個太陽能電池片通過至少一根焊帶串接而成。
進一步地,所述邊框包括框體、與所述框體一體成型且位于其內側面的卡框;所述卡框有三道,分別形成于所述框體內側面的頂部、底部和中部;定義形成于所述框體內側面頂部的卡框為第一卡框,形成于所述框體內側面中部的卡框為第二卡框,形成于所述框體內側面底部的卡框為第三卡框,所述前板玻璃層和所述背板夾設于所述第一卡框和所述第二卡框之間。
優化地,所述聚烯烴層厚度為0.25~0.8mm
由于上述技術方案運用,本實用新型與現有技術相比具有下列優點:本實用新型抗PID耐風沙晶硅太陽能電池組件,通過在太陽能電池串兩側設置聚烯烴層,能夠降低水汽透過率,避免了在高電壓下封裝材料中出現的離子遷移現象,增加組件的抗PID性能,在組件壽命期間不會出現PID現象。
附圖說明
附圖1為本實用新型抗PID耐風沙晶硅太陽能電池組件的結構示意圖;
其中,1、太陽能電池串;11、太陽能電池片;12、焊帶;2、聚烯烴層;3、前板玻璃層;4、背板;5、接線盒;6、邊框;61、框體;62、第一卡框;63、第二卡框;64、第三卡框。
具體實施方式
下面結合附圖所示的實施例對本實用新型作進一步描述。
如圖1所示的抗PID耐風沙晶硅太陽能電池組件,主要包括太陽能電池串1、聚烯烴層2、前板玻璃層3、背板4、接線盒5和邊框6。
其中,太陽能電池串1由至少兩個太陽能電池片11通過至少一根焊帶12串接而成,焊帶12由一個太陽能電池片11的正面連接至另一個太陽能電池片11的背面。聚烯烴層2有兩層,它們分別層疊在太陽能電池串1的兩側;它可以根據需要采用熱固型或熱塑型的,厚度優選為0.25~0.8mm,其具體參數為:波長為382~1100nm的可見光透光率>90%,橫向收縮率≤2%,縱向收縮率≤5%,交聯度為60~80%,吸水率≤0.01%。前板玻璃層3層疊于其中一層聚烯烴層2上,背板4則層疊于另一層聚烯烴層2上。邊框6用于夾住背板4和前板玻璃層3;它包括框體61、與框體61一體成型且位于其內側面的至少兩道卡框,前板玻璃層3和背板4夾設在卡框之間。接線盒5安裝在背板4上,用于連接太陽能電池串1和外部線路,采用背接式普通接線盒即可。這樣的太陽能電池組件產生了意想不到的效果:降低了太陽能電池片的水汽透過率,避免了在高電壓下封裝材料(聚烯烴)中出現的離子遷移現象,從而增加組件的抗PID性能,在組件壽命期間不會出現PID現象。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





