[實(shí)用新型]一種碲化鎘薄膜太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520732043.9 | 申請日： | 2015-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN205039160U | 公開（公告）日： | 2016-02-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳京錦;趙策洲;趙胤超 | 申請（專利權(quán)）人： | 西交利物浦大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/0296 | 分類號： | H01L31/0296;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;姜玲玲 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碲化鎘 薄膜 太陽能電池 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種碲化鎘薄膜太陽能電池，包括自下而上依次設(shè)置的金屬背電極層，緩沖層，碲化鎘吸收層，硫化鎘窗口層，氧化鋅高阻層，以及透明導(dǎo)電電極層，其特征在于，在所述緩沖層和所述碲化鎘吸收層之間設(shè)有硼摻雜石墨烯鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，所述金屬背電極層的金屬為金，鉬，鎳或銀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，所述緩沖層為摻雜有銅離子的緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，所述硼摻雜石墨烯鈍化層為p型硼摻雜石墨烯薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碲化鎘薄膜太陽能電池，其特征在于，所述硼摻雜石墨烯鈍化層的厚度為0.34～20nm。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
