[實用新型]具有應力補償效應壘層的LED外延結構

有效

• 申請號: 201520717475.2
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN204966526U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 田宇;鄭建欽;吳真龍;曾頎堯;董發;李鵬飛
• 申請（專利權）人: 南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.具有應力補償效應壘層的LED外延結構，它從下至上依次包括圖形化襯底（1）、AlN緩沖層（2）、U型GaN層（3）、N型GaN層（4）、淺量子阱層（5）、有源區（6）、電子阻擋層（7）和P型GaN層（8），其特征在于：所述有源區（6）與電子阻擋層（7）之間設有應力補償效應壘層（601），所述應力補償效應壘層（601）從下至上依次包括本征半導體層（611）、N型半導體層（612）和P型半導體層（613）；所述本征半導體層（611）從下至上依次包括U-GaN層（10）、U-AlGaN層（11）和U-InGaN層（12），或者從下至上依次包括U-AlGaN層（11）、U-InGaN層（12）和U-GaN層（10）；所述N型半導體層（612）從下至上依次包括N-AlGaN層（13）和N-InGaN層（14），或者從下至上依次包括N-InGaN層（14）和N-AlGaN層（13）；所述P型半導體層（613）從下至上依次包括P-AlGaN層（15）和P-InGaN層（16），或者從下至上依次包括P-InGaN層（16）和P-AlGaN層（15）。

2.根據權利要求1所述的具有應力補償效應壘層的LED外延結構，其特征在于：所述應力補償效應壘層（601）在氮氣、氫氣或者氫氮混合環境中生長。

3.根據權利要求1或2所述的具有應力補償效應壘層的LED外延結構，其特征在于：所述應力補償效應壘層（601）中U-GaN層（10）的生長溫度為700-900℃,生長壓力為200-600mbar,生長厚度為1-20nm；U-AlGaN層（11）的生長溫度為700-900℃,生長壓力為200-600mbar,生長厚度為1-20nm，其中Al組分為0.1-0.4；U-InGaN層（12）的生長溫度為700-900℃,生長壓力為200-600mbar,生長厚度為1-20nm，其中In組分為0.02-0.2；N-AlGaN層（13）的生長溫度為700-900℃,生長壓力為200-600mbar,生長厚度為1-20nm，其中Al組分為0.1-0.4，Si的參雜濃度為5×10¹⁷-1×10¹⁹；N-InGaN層（14）的生長溫度為700-900℃,生長壓力為200-600mbar,生長厚度為1-20nm，其中In組分為0.02-0.2，Si的參雜濃度為5×10¹⁷-1×10¹⁹；P-AlGaN層（15）的生長溫度為700-900℃,生長壓力為200-600mbar,生長厚度為1-20nm，其中Al組分為0.1-0.4，Mg的參雜濃度為5×10¹⁷-1×10²⁰；P-InGaN層（16）的生長溫度為700-900℃,生長壓力為200-600mbar,生長厚度為1-20nm，其中In組分為0.02-0.2，Mg的參雜濃度為5×10¹⁷-1×10²⁰。

4.根據權利要求3所述的具有應力補償效應壘層的LED外延結構，其特征在于：所述圖形化襯底（1）使用圖形化藍寶石襯底、平襯底、非極性襯底、Si襯底或者SiC襯底任一種。