[實用新型]變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源

有效

• 申請號: 201520713808.4
• 申請日: 2015-09-15
• 公開（公告）號: CN204886669U
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 吳國良;盛康明
• 申請（專利權）人: 蘇州格遠電氣有限公司
• 主分類號: H02M1/00
• 分類號: H02M1/00;H02M1/08
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，包括變頻器控制板（1）及與其匹配的變頻器功率板（2），其特征在于：還包括分別與所述變頻器控制板（1）及變頻器功率板（2）連接的24V電源（3），所述24V電源（3）通過供電電路（4）為所述變頻器控制板（1）上的DSP芯片（5）提供1.8V和3.3V工作電壓，以及為所述變頻器功率板（2）上的IGBT驅動光耦（6）原邊提供5V工作電壓；

所述DSP芯片（5）與所述IGBT驅動光耦（6）連接，所述IGBT驅動光耦（6）與IGBT模塊（7）連接，所述DSP芯片（5）通過控制所述IGBT驅動光耦（6）進而控制IGBT模塊（7）的導通和關斷；

所述24V電源（3）還通過控制板端子引入到所述變頻器功率板（2）上的開關電源（8）并為其供電；

所述開關電源（8）輸出IGBT模塊驅動電源、運算放大器及比較器工作電壓。

2.根據權利要求1所述的變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，其特征在于：所述供電電路（4）包括設置在所述變頻器控制板（1）上的24V轉5V模塊電源（9），所述24V轉5V模塊電源（9）分別與所述IGBT驅動光耦（6）原邊及一設置在所述變頻器控制板（1）上的LDO（10）電連接，所述LDO(10)與所述DSP芯片（5）電連接。

3.根據權利要求1所述的變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，其特征在于：所述24V轉5V模塊電源（9）與所述變頻器功率板（2）上的功能電路（11）連接，并為其提供5V工作電壓。

4.根據權利要求1所述的變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，其特征在于：

所述24V電源（3）通過分壓限流穩壓電路連接到所述開關電源（8）的PWM芯片（U23），并為其供電；

所述PWM芯片（U23）連接一MOSFET（Q1），所述MOSFET（Q1）連接到變壓器，所述PWM芯片（U23）控制所述MOSFET（Q1）的開通和關斷時間，從而控制所述變壓器輸出的脈沖電壓；

所述變壓器副邊分別連接所述IGBT模塊（7）、運放器、比較器并為它們供電。

5.根據權利要求4所述的變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，其特征在于：所述PWM芯片（U23）的4腳連接有RC振蕩頻率調整電路，且所述PWM芯片（U23）的6腳通過PWM調整電路連接MOSFET（Q1）的柵極，并發出PWM的頻率及占空比控制所述MOSFET（Q1）的開通和關斷；

所述MOSFET（Q1）的源極通過電流采樣電路及RC吸收電路連接到所述PWM芯片（U23）的3腳進行峰值電流限制；

所述MOSFET（Q1）的漏極連接到所述變壓器的原邊繞組，所述變壓器的副邊繞組輸出所述IGBT模塊（7）、運放器及比較器的工作電壓。

6.根據權利要求5所述的變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，其特征在于：所述MOSFET（Q1）的漏極還連接有吸收電路以對MOSFET(Q1)進行保護，所述吸收電路包括與所述MOSFET（Q1）漏極連接的第一吸收電阻（R196）以及與所述第一吸收電阻（R196）串聯的第二吸收電阻（R198）和吸收電容（C2），所述吸收電容（C2）的輸出端接地，還包括并聯在所述MOSFET（Q1）的漏極和吸收電容（C2）之間的穩壓管（D32）。

7.根據權利要求5所述的變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，其特征在于：所述變壓器副邊繞組輸出三路+18V~-9V的IGBT模塊驅動電壓以及兩路±15V的運放器、比較器工作電壓。

8.根據權利要求7所述的變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關電源，其特征在于：所述變壓器副邊繞組輸出的±15V電壓還為霍爾電流傳感器元件提供工作電源。