[實用新型]電子設備

有效

• 申請號: 201520706847.1
• 申請日: 2015-09-11
• 公開（公告）號: CN204993264U
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發明（設計）人: L·沙伯特
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種電子設備，其特征在于，包括用于接收具有第一頻率的信號的輸入以及差分架構電路，所述差分架構電路包括：

具有電流輸出的至少一個頻率變換級(20)，被耦合至所述輸入，

跨阻放大器級(21)，具有AB類類型的放大器末級(42)、前置放大器級(41)以及被配置以便偏置所述前置放大器級(41)的自偏置共模控制級(40)，所述前置放大器級(41)被耦合在所述頻率變換級(20)的輸出與所述放大器末級(42)的輸入之間并且包括第一雙極型晶體管(Q₁,Q₂)以及有源負載(46)。

2.根據權利要求1所述的電子設備，其特征在于，所述前置放大器級(41)的所述有源負載(46)包括第一PMOS晶體管(M₉,M₁₀)，并且所述共模控制級(40)的輸出連接至所述第一PMOS晶體管(M₉,M₁₀)的柵極。

3.根據權利要求1或2所述的電子設備，其特征在于，所述放大器末級(42)包括連接在所述末級的兩個輸出(OUT1,OUT2)之間并且具有節點(VM)的模塊(45)，并且所述共模控制級(40)包括第二雙極型晶體管(Q₃,Q₄)的差分對，所述第二雙極型晶體管中的一個(Q₄)的基極旨在接收共模電壓，并且另一第二雙極型晶體管(Q₃)的基極連接至所述模塊(45)的所述節點(VM)，使得在所述節點處的電壓旨在等于在所述末級的兩個輸出(OUT1,OUT2)處存在的電壓的總和的一半。

4.根據權利要求3所述的電子設備，其特征在于，所述第二雙極型晶體管(Q₃,Q₄)的差分對的集電極連接至被連接為電流鏡的兩個PMOS晶體管(M₁₁,M₁₂)。

5.根據權利要求1或2所述的電子設備，其特征在于，所述末級(42)包括兩個AB類放大器(43,44)，所述第一雙極型晶體管(Q₁,Q₂)的對的基極分別連接至所述頻率變換級(20)的兩個電流輸出(In,Ip)，并且所述第一雙極型晶體管(Q₁,Q₂)的對的集電極分別連接至所述兩個AB類放大器(43,44)的兩個輸入。

6.根據權利要求1或2所述的電子設備，其特征在于，所述頻率變換級(20)被配置以便執行所述輸入信號的直接基帶變換。

7.根據權利要求1或2所述的電子設備，其特征在于，所述輸入信號的所述第一頻率是RADAR信號的頻率。