[實用新型]一種硅基模塊的封裝結構有效
| 申請號: | 201520695404.7 | 申請日: | 2015-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN204927277U | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發明(設計)人: | 張黎;龍欣江;賴志明;陳棟;陳錦輝 | 申請(專利權)人: | 江陰長電先進封裝有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 趙華 |
| 地址: | 214429 江蘇省無錫市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模塊 封裝 結構 | ||
1.一種硅基模塊的封裝結構,其包括硅基載體(202),所述硅基載體(202)的上表面設置絕緣層(230),
其特征在于:還包括硅基芯片(100)和金屬突起物,所述硅基芯片(100)的正面設有若干個電極、背面設有金屬層,所述硅基芯片(100)的正面覆蓋圖案化的鈍化層(130)并開設露出電極的上表面的鈍化層開口(131),所述鈍化層開口(131)呈陣列狀分布,在所述鈍化層開口(131)內依次設置鎳/金層(140)和焊球(150),所述焊球(150)通過鎳/金層(140)分別與電極固連;
所述金屬突起物設置于硅基芯片(100)的旁側;
所述硅基載體(202)的橫截面尺寸大于硅基芯片(100)的橫截面尺寸,所述硅基載體(202)承載金屬突起物和硅基芯片(100),所述硅基載體(202)的絕緣層(230)的上表面選擇性地設置再布線金屬層(210),所述金屬突起物與再布線金屬層(210)固連,所述硅基芯片(100)的背面的金屬層與再布線金屬層(210)之間設置焊錫層(400),所述硅基芯片(100)與再布線金屬層(210)正裝固連,并實現電氣連通,所述焊球(150)的頂高和金屬突起物的頂高在同一平面。
2.根據權利要求1所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:所述金屬突起物為金屬芯焊球(600),其內芯為金屬芯(610),其最外層包裹焊接層(620),該金屬芯(610)與焊接層(620)之間設置金屬鎳層或鎳/金層。
3.根據權利要求2所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:所述金屬芯焊球(600)的金屬芯(610)呈球狀。
4.根據權利要求1所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:所述金屬突起物為金屬凸塊結構(800),所述金屬凸塊結構(800)包括金屬柱(810)及其頂部的焊料凸點(820),該金屬柱(810)與焊料凸點(820)之間設置金屬鎳層或鎳/金層。
5.根據權利要求1所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:所述金屬突起物為金屬凸塊結構(800),所述金屬凸塊結構(800)包括金屬柱(810)及其頂部的焊料凸點(820)以及凸塊下金屬層(830),該金屬柱(810)與焊料凸點(820)之間設置金屬鎳層或鎳/金層。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:所述焊球(150)的頂高和金屬突起物的頂高在同一水平面。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:所述硅基芯片(100)的電極包括源極(121)和柵極(122),該硅基芯片(100)的背面的金屬層為漏極(123)。
8.根據權利要求7所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:所述硅基芯片(100)的背面的金屬層為鈦/鎳/金或鈦/鎳/銀的三層金屬結構。
9.根據權利要求1至5中任一項所述的一種硅基模塊的封裝結構,其特征在于:還包括填充劑(700),所述填充劑(700)填充金屬突起物、硅基芯片(100)與硅基載體(202)彼此之間的空間。
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