[實用新型]一種電壓檔位控制電路

有效

• 申請號: 201520688870.2
• 申請日: 2015-09-07
• 公開（公告）號: CN204906181U
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 張現聚;程瑩
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/06
• 分類號: H02M3/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

技術領域

本實用新型實施例涉及電子電路技術，尤其涉及一種電壓檔位控制電路。

背景技術

資料儲存型閃存(NANDFlash)具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用。

NANDFlash的編程和擦除需要30V高壓，而提供NANDFlash編程和擦除時所需電壓的電路中，通常使用P溝道金屬氧化物半導體型場效應管(PMOS管)，但基于目前的工藝，制造耐壓30V的PMOS管的成本很高。

實用新型內容

本實用新型提供一種電壓檔位控制電路，以實現輸出電壓范圍大，降低成本。

本實用新型實施例提供了一種電壓檔位控制電路，包括：電荷泵、分壓系統、比較器和電源，所述分壓系統包括：

由至少一個一級分壓阻抗元件串聯形成的一級分壓支路，每個一級分壓阻抗元件的首端作為一個一級分壓點，所述一級分壓支路的首端作為所述分壓系統的輸入端；

至少一個N溝道金屬氧化物半導體型場效應管NMOS，所述NMOS管的漏極與所述電荷泵的輸出端連接，所述NMOS管的柵極與一級控制信號輸出端連接，各所述NMOS管的源極與各所述一級分壓點一一對應相連；

由至少一個二級分壓阻抗元件串聯形成的二級分壓支路，每個二級分壓阻抗元件的首端作為一個二級分壓點；

至少一個P溝道金屬氧化物半導體型場效應管PMOS，各所述PMOS管的漏極與各所述二級分壓點一一對應相連，所述PMOS管的柵極與二級控制信號輸出端連接，各所述PMOS管的源極分別與所述一級分壓支路的末端相連；

接地阻抗元件，所述二級分壓支路的末端通過所述接地阻抗元件接地，且作為所述分壓系統的輸出端；

所述電荷泵，和所述電源和所述分壓系統的輸入端分別相連，所述分壓系統的輸出端和所述比較器的反相輸入端連接，所述比較器的同相輸入端連接恒定參考電壓，輸出端連接所述電荷泵的使能端。

進一步的，所述電壓檔位控制電路，還包括：

非門，所述比較器的輸出端通過所述非門和所述電荷泵的使能端連接，相應的，所述分壓系統的輸出端和所述比較器的同相輸入端連接，所述比較器的反相輸入端連接恒定參考電壓。

進一步的，單個所述一級分壓阻抗元件的電阻抗值大于等于所有二級分壓阻抗元件的電阻抗值之和；

接地阻抗元件和單個二級分壓阻抗元件的電阻抗值相等。

進一步的，所述NMOS管為耗盡型NMOS管，耐壓30V以上；

所述PMOS管為耗盡型PMOS管，耐壓7V以上。

進一步的，所述電壓檔位控制電路，還包括：

前端阻抗元件，連接在所述電荷泵的輸出端和所述一級分壓支路的首端之間。

進一步的，所述一級分壓阻抗元件、二級分壓阻抗元件、接地阻抗元件包括下述中的至少一個：

電阻、二極管、金屬氧化物半導體型場效應管。

進一步的，一級分壓電阻的阻值為50K歐姆；

二級分壓電阻的阻值為10K歐姆；

接地電阻的阻值為10K歐姆。

進一步的，所述一級分壓阻抗元件和所述前端阻抗元件的類型相同；

所述二級分壓阻抗元件和所述接地阻抗元件的類型相同。

進一步的，所述恒定參考電壓的電壓值為1V。

本實用新型通過兩級分壓支路，不需使用高成本的PMOS管，解決電壓檔位控制電路制造成本高的問題，實現降低成本的效果。

附圖說明

圖1為現有技術的電壓檔位控制電路的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例一中的一種電壓檔位控制電路中分壓系統的電路圖；

圖3是本實用新型實施例二中的一種電壓檔位控制電路的結構示意圖；

圖4是本實用新型實施例三中的一種電壓檔位控制電路中分壓系統的電路圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本實用新型，而非對本實用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實用新型相關的部分而非全部結構。

實施例一

圖1為現有技術的電壓檔位控制電路的結構示意圖，如圖1所示，電壓檔位控制電路包括：電荷泵、分壓系統、比較器和電源。

其中，電荷泵，和電源和分壓系統分別相連，用于輸出高于電源電壓的輸出電壓VH，輸出到分壓系統的輸入端；