[實用新型]一種異質結太陽能電池

有效

• 申請號: 201520684826.4
• 申請日: 2015-09-07
• 公開（公告）號: CN205016536U
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 楊與勝;王樹林;張超華;莊輝虎;羅騫;宋廣華
• 申請（專利權）人: 鈞石(中國)能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池領域，尤其涉及一種異質結太陽能電池。

背景技術

太陽能電池是一種能將太陽能轉換成電能的半導體器件，在光照條件下太陽能電池內部會產生光生電流，通過電極將電能輸出。近年來，太陽能電池生產技術不斷進步，生產成本不斷降低，轉換效率不斷提高，太陽能電池發電的應用日益廣泛并成為電力供應的重要能源。

異質結太陽能電池是其中一種新型高效的電池技術，其綜合了單晶硅太陽能電池和非晶硅太陽能電池的優勢，有制備工藝溫度低、轉換效率高、高溫特性好等特點。由于異質結太陽能電池的溫度劣化系數小，且雙面發電，在相同面積條件下，每年的發電量可以比多晶硅電池高15～30％，因此具有很大的市場潛力。

然而，目前市場上的硅基異質結電池，受光面主要是在發射極，即在P-N結的一面，對于n-型單晶硅襯底，受光面是p-型非晶硅薄膜層，這種方式的缺陷在于p-型非晶硅的導電性較差，會導致金屬柵線正電極的細柵間距過小，為防止電池邊緣的短路現象，要求p-型非晶硅膜層上的透明導電薄膜的邊緣離電池邊緣要遠，從而影響電池的有效吸收面積。

實用新型內容

針對上述問題，本實用新型提供了一種異質結太陽能電池，解決了目前n-型單晶硅襯底太陽能電池中以p-型非晶硅薄膜層作為受光面有效吸收面積小的缺點。

為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是：一種異質結太陽能電池，包括：n-型單晶硅片，設在n-型單晶硅片受光面的第一本征非晶硅薄膜層，設在第一本征非晶硅薄膜層上的n-型非晶硅薄膜層，設在n-型非晶硅薄膜層上的第一透明導電薄膜層，設在第一透明導電薄膜層上的金屬柵線正電極，設在n-型單晶硅片背光面的第二本征非晶硅薄膜層；設在第二本征非晶硅薄膜層上的p-型非晶硅薄膜層，設在p-型非晶硅薄膜層上的第二透明導電薄膜層，設在第二透明導電薄膜層上的金屬柵線背電極；所述第一透明導電薄膜層與電池邊緣的距離小于第二透明導電薄膜層與電池邊緣的距離；所述金屬柵線正電極相鄰細柵間距大于金屬柵線背電極相鄰細柵間距。

優選的，所述第一透明導電薄膜層與電池邊緣的距離為0～0.5mm、第二透明導電薄膜層與電池邊緣的距離為0.3～1mm。

優選的，所述第一透明導電薄膜層及第二透明導電薄膜層為氧化銦錫薄膜、摻鋁氧化鋅薄膜、石墨烯薄膜中的至少一種。

優選的，所述第一透明導電薄膜層的厚度為0.1～150nm、第二透明導電薄膜層的厚度為0.1～150nm。

優選的，所述第一本征非晶硅薄膜層厚度為4～10nm、n-型非晶硅薄膜層厚度為4～10nm；第二本征非晶硅薄膜層厚度為4～10nm、p-型非晶硅薄膜層厚度為5～15nm。

優選的，所述金屬柵線正電極相鄰細柵間距為1.6～3mm，金屬柵線背電極相鄰細柵間距為0.5～1.5mm。

由上述對本實用新型結構的描述可知，和現有技術相比，本實用新型具有如下優點：因n-型非晶硅薄膜作為受光面相比p-型非晶硅薄膜更導電，增加了金屬柵線正電極的細柵間距，且以非P-N結面作為電池的受光面，減小了透明導電薄膜邊緣離電池邊緣的距離，避免了電池在邊緣短路現象。從而增加了電池的有效吸收面積，增加電池的短路電流，進而提高電池的轉化率，電池的轉換效率可以有效提升1％以上，而以導電較差的p-型非晶硅作為背光面，金屬柵線背電極的密柵可有效地減少電池片的串聯電阻，從而進一步提高電池的填充因子。

附圖說明

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1為本實用新型一種異質結太陽能電池的結構示意圖。

圖2為本實用新型圖1中A的放大圖。

圖3為本實用新型金屬柵線正電極的結構示意圖。

圖4為本實用新型金屬柵線背電極的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。