[實(shí)用新型]用于制作背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽(yáng)能電池的磁性載片舟有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520684720.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204946875U | 公開(公告)日: | 2016-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張振剛;蕭生剛;王海波;趙崇亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市科納能薄膜科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 沈陽(yáng)晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001 | 代理人: | 張晨 |
| 地址: | 518053 廣東省深圳市南山*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制作 接觸 異質(zhì)結(jié) 單晶硅 太陽(yáng)能電池 磁性 載片舟 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種制作背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽(yáng)能電池的磁性載片舟。
背景技術(shù)
背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽(yáng)能電池是一種高效晶硅電池,在這種電池結(jié)構(gòu)中,電池正面沒(méi)有任何電極分布,發(fā)射極和基極由鍍膜形成的摻雜非晶硅組成,并且交叉排列于電池背面,分別收集晶體硅光伏效應(yīng)產(chǎn)生的光生載流子,由于電池正面沒(méi)有金屬電極柵線遮擋產(chǎn)生的光學(xué)損失,可有效增加電池片的短路電流,同時(shí)在發(fā)射極與晶體硅之間以及基極與晶體硅之間插入了一層本征非晶硅,有效改善了單晶硅表面的鈍化效果,可獲得較高的開路電壓,因而背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽(yáng)能電池可獲得極高的光電轉(zhuǎn)換效率。
為形成背接觸異質(zhì)結(jié)電池所需要的背面正負(fù)電極叉指狀交叉排布的圖案,可采用掩膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)。在P型和N型非晶硅鍍膜過(guò)程中,將掩膜置于硅片之上,非晶硅只在硅片上對(duì)應(yīng)掩膜的鏤空區(qū)域生長(zhǎng),這樣通過(guò)合理設(shè)計(jì)掩膜的圖案,便可形成所需要的P型和N型非晶硅圖案。使用掩膜技術(shù)制備背接觸異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池有兩個(gè)技術(shù)難點(diǎn):一是掩膜要緊密貼在硅片表面,否則在通常的PECVD鍍膜過(guò)程中,鍍膜成分會(huì)進(jìn)入掩膜所遮擋的區(qū)域,造成P型和N型的區(qū)域定位不清,邊界模糊,影響載流子的收集效率;二是在整個(gè)電池制作過(guò)程中,至少要使用兩次掩膜,兩次掩膜之間的相互定位至關(guān)重要,否則,形不成所需的叉指狀圖案。
為解決上述兩個(gè)技術(shù)難題,通常的做法是采用固定掩膜邊緣的方法,以固定整個(gè)掩膜及下方的硅片,但這樣做必然會(huì)帶來(lái)硅片一部分表面不能被利用的弊端,并且固定掩膜的邊緣很容易造成掩膜中間部位由于應(yīng)力的作用翹起,導(dǎo)致掩膜與硅片在中間部位貼合不緊,另外這種方法操作較復(fù)雜,工作效率低下。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型針對(duì)背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽(yáng)能電池制作中的上述技術(shù)難題,設(shè)計(jì)了一種磁性載片舟,可以有效克服上述技術(shù)壁壘,使用本發(fā)明所設(shè)計(jì)的磁性載片舟,可以方便地調(diào)整和固定掩膜位置,大幅提高工作效率。
本實(shí)用新型發(fā)明的目的在于提供一種用于制作背接觸異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的磁性載片舟,可方便、有效地實(shí)現(xiàn)掩膜的調(diào)整和固定。
本實(shí)用新型的上述目的是通過(guò)如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
一種用于制作背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽(yáng)能電池的磁性載片舟,該載片舟由永磁體和載片舟外殼組成,所述永磁體置于載片舟外殼內(nèi);永磁體在載片舟表面產(chǎn)生磁場(chǎng),用以吸附住載片舟上表面放置的硅片上方的具有磁性的掩膜,以達(dá)到固定硅片和掩膜之間相對(duì)位置的目的;所述永磁體在載片舟上表面產(chǎn)生的磁場(chǎng)開關(guān)可控,以方便拆裝硅片和掩膜,
所述硅片放置在載片舟上表面,硅片上方置有掩膜。
所述的永磁體為鋁鎳鈷合金、釤鈷磁體、鐵氧體或釹鐵硼磁體中的一種或幾種。
所述的永磁體優(yōu)先選擇居里溫度>300℃的永磁材料,比如鋁鎳鈷合金。
所述的永磁體在載片舟表面產(chǎn)生的磁場(chǎng)要足夠強(qiáng),足以牢固吸住具有磁性的掩膜。
所述的掩膜用來(lái)在鍍膜過(guò)程中形成一定鍍膜圖案,制作掩膜的材料中含有鐵、鎳、鈷等磁性元素。
所述的硅片可以是N型或P型單晶硅片,硅片的厚度為50~500μm;所述的表面磁場(chǎng)開關(guān)可控指的是通過(guò)調(diào)整永磁體的磁路,可以將表面的磁場(chǎng)大小降到接近零。
所述載片舟外殼的材質(zhì)為不銹鋼、矽鋼或硅鋼中的一種或幾種。
本實(shí)用新型的磁性載片舟主要由永磁體及載片舟外殼組成,硅片置于載片舟外殼上表面之上,所述的永磁體可以選擇但不限于以下幾種永磁材料:鋁鎳鈷合金、釤鈷磁體、鐵氧體、及釹鐵硼磁體,優(yōu)先選擇居里溫度>300℃的永磁材料,比如鋁鎳鈷合金。制作背接觸異質(zhì)結(jié)電池的鍍膜工藝需要在高溫下完成,最高溫度為300℃,因此選擇居里溫度高的永磁材料可以保證在整個(gè)鍍膜過(guò)程中,有足夠高的磁場(chǎng)吸附住掩膜。載片舟外殼的上表面厚度在保證一定機(jī)械強(qiáng)度的前提下要盡量薄,以便有利于永磁體產(chǎn)生的磁力線有效穿透上表面。
本實(shí)用新型中所述的表面磁場(chǎng)要有一定強(qiáng)度,可以牢固吸附載片舟上表面具有磁性的掩膜。表面磁場(chǎng)的強(qiáng)度決定于所用永磁體的材料、體積、磁路設(shè)計(jì)、載片舟工作溫度、載片舟的上表面厚度等,載片舟對(duì)掩膜的磁性吸附力也取決于掩膜的材料和掩膜的厚度,選用具有較強(qiáng)磁性的材料制作掩膜,可有效增強(qiáng)磁性吸附力。
本實(shí)用新型,硅片的固定是通過(guò)永磁體和掩膜之間的磁相互作用實(shí)現(xiàn)的,硅片和掩膜之間不能有任何相互移位。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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