[實(shí)用新型]化學(xué)氣相沉積或外延層生長(zhǎng)反應(yīng)器及其基片托盤(pán)和支撐軸

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520681445.0
• 申請(qǐng)日: 2015-09-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204982132U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜勇;鄭振宇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B25/12
• 分類(lèi)號(hào): C30B25/12;C23C16/458
• 代理公司: 上海信好專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 徐雯瓊;張靜潔

1.一種用于化學(xué)氣相沉積或外延層生長(zhǎng)反應(yīng)器內(nèi)的支撐軸，用以支撐基片托盤(pán)并帶動(dòng)其旋轉(zhuǎn)，其特征在于：所述支撐軸包括：

主軸部；

與所述主軸部的一端相連接、并沿所述主軸部外圍向外延伸開(kāi)來(lái)的支撐部，所述支撐部包括一延展面；以及

與所述主軸部相連接、并沿著所述延展面向與所述主軸部反方向延伸一高度的插接部；

所述延展面上方環(huán)繞所述插接部設(shè)置一個(gè)或多個(gè)支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)包括支撐面用以支撐基片托盤(pán)，所述支撐面高于所述延展面一段距離。

2.如權(quán)利要求1所述的支撐軸，其特征在于：所述插接部包括一頂表面和一外側(cè)面，所述外側(cè)面包括第一外側(cè)面和第二外側(cè)面，其中第一外側(cè)面垂直設(shè)置于所述延展面上方，所述第二外側(cè)面設(shè)置為自所述第一外側(cè)面向所述頂表面傾斜的弧面。

3.如權(quán)利要求1所述的支撐軸，其特征在于：所述插接部位于所述延展面的中心區(qū)域，形狀為非圓柱形。

4.如權(quán)利要求2所述的支撐軸，其特征在于：所述第一外側(cè)面包括一組相互平行的平面及一組向相反方向突起的弧面。

5.如權(quán)利要求1所述的支撐軸，其特征在于：所述支撐臺(tái)為環(huán)繞所述插接部設(shè)置的圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述圓環(huán)狀支撐臺(tái)為連續(xù)或斷續(xù)結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的支撐軸，其特征在于：所述支撐臺(tái)為環(huán)繞所述插接部設(shè)置的若干凸起。

7.如權(quán)利要求1所述的支撐軸，其特征在于：所述支撐臺(tái)的高度小于所述插接部高度。

8.如權(quán)利要求1所述的支撐軸，其特征在于：所述主軸部包括與所述支撐部連接的第一主軸部和與所述第一主軸部另一端連接的第二主軸部，所述第一主軸部的直徑小于所述第二主軸部的直徑。

9.如權(quán)利要求1所述的支撐軸，其特征在于：所述支撐軸設(shè)置有機(jī)械安裝孔，所述機(jī)械安裝孔在所述插接部的頂表面上設(shè)有開(kāi)口，并沿著所述主軸部的方向延伸一定深度。

10.一種與權(quán)利要求1所述的支撐軸匹配的基片托盤(pán)，其特征在于，所述基片托盤(pán)包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待處理的基片，所述第二表面的中心位置設(shè)置有一個(gè)向內(nèi)凹陷的凹進(jìn)部，所述凹進(jìn)部在所述基片托盤(pán)內(nèi)部形成一頂表面，所述凹進(jìn)部的頂表面形狀為非圓形，所述凹進(jìn)部用于容納所述支撐軸的插接部，所述第二表面至少部分與所述支撐臺(tái)的支撐面接觸。

11.如權(quán)利要求10所述的基片托盤(pán)，其特征在于：所述凹進(jìn)部的凹進(jìn)深度與所述基片托盤(pán)的厚度比例范圍為1/2-3/4。

12.如權(quán)利要求10所述的基片托盤(pán)，其特征在于：所述基片托盤(pán)外圍設(shè)置一臺(tái)階，所述臺(tái)階用于容納機(jī)械手臂，便于取放基片托盤(pán)。

13.一種化學(xué)氣相沉積或外延層生長(zhǎng)反應(yīng)器，所述反應(yīng)器內(nèi)包括一基片托盤(pán)及其支撐軸，其特征在于：所述支撐軸用以支撐基片托盤(pán)并帶動(dòng)其旋轉(zhuǎn)，所述支撐軸包括：

主軸部；

與所述主軸部的一端相連接、并沿所述主軸部外圍向外延伸開(kāi)來(lái)的支撐部，所述支撐部包括一延展面；以及

與所述主軸部相連接、并沿著所述延展面向與所述主軸部反方向延伸一高度的插接部；

所述延展面上方環(huán)繞所述插接部設(shè)置一個(gè)或多個(gè)支撐臺(tái)，所述支撐臺(tái)包括支撐面用以支撐基片托盤(pán)，所述支撐面高于所述延展面一段距離；

所述基片托盤(pán)包括一第一表面和一第二表面，所述第一表面上用于放置若干待處理的基片，所述第二表面的中心位置設(shè)置有一個(gè)向內(nèi)凹陷的凹進(jìn)部，所述凹進(jìn)部在所述基片托盤(pán)內(nèi)部形成一頂表面，所述凹進(jìn)部的頂表面形狀為非圓形，所述凹進(jìn)部用于容納所述支撐軸的插接部，所述第二表面至少部分與所述支撐臺(tái)的支撐面接觸。

14.如權(quán)利要求13所述的反應(yīng)器，其特征在于：所述插接部包括一頂表面和一外側(cè)面，所述外側(cè)面包括第一外側(cè)面和第二外側(cè)面，其中第一外側(cè)面垂直設(shè)置于所述延展面上方，所述第二外側(cè)面設(shè)置為自所述第一外側(cè)面向所述頂表面傾斜的弧面。

15.如權(quán)利要求13所述的反應(yīng)器，其特征在于：所述插接部位于所述延展面的中心區(qū)域，形狀為非圓柱形。

16.如權(quán)利要求14所述的反應(yīng)器，其特征在于：所述第一外側(cè)面包括一組相互平行的平面及一組向相反方向突起的弧面。