[實用新型]一種改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池

有效

• 申請號: 201520679663.0
• 申請日: 2015-09-06
• 公開（公告）號: CN204927356U
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 羅維;唐立丹;王冰;彭淑靜
• 申請（專利權）人: 遼寧工業大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.一種改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，自下至上，包括：

襯底導電玻璃層，其為襯底層，材質為透明導電玻璃；

電子傳輸層，其用于傳輸電子，材質為納米氧化鋅陣列；

改良傳輸層，主要用于增加收集電子和阻擋空穴的能力；

光吸收層，其吸收光子后會產生電子和空穴，價帶能級高于所述電子傳輸層；以及

空穴傳輸層，其用于空穴傳輸，價帶能級高于所述光吸收層；

空穴修飾層,其用于增強空穴傳輸能力，其成分為單臂碳納米管陣列；

最外層的對電極層，其為所述太陽能電池的陰極。

2.根據權利要求1所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的導電玻璃層厚度為3mm-5mm。

3.根據權利要求1所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的光吸收層為光學薄膜，成分為甲基胺溴碘化鉛。

4.根據權利要求1或3所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的光吸收層厚度為300nm～500nm。

5.根據權利要求1所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的空穴傳輸層其成分為2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺芴，厚度為80nm～100nm。

6.根據權利要求1～3任一項所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的電子傳輸層采用勻膠機旋凃在所述的導電玻璃層上。

7.根據權利要求1或5所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的空穴傳輸層采用勻膠機旋凃在所述光吸收層表面。

8.根據權利要求1所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的對電極層為石墨烯電極。

9.根據權利要求1所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述的改良傳輸層材質為鋁制極細金屬絲網。

10.根據權利要求1或9所述的改良型納米氧化鋅片陣列鈣鈦礦型太陽能電池，其特征在于，所述改良傳輸層厚度為5nm～8nm,網孔直徑100nm～200nm。