[實用新型]一種具有高峰值功率的被動調Q激光器

有效

• 申請號: 201520671625.0
• 申請日: 2015-09-02
• 公開（公告）號: CN204927794U
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 肖旭輝;周勇;崔曉敏
• 申請（專利權）人: 蘇州英谷激光有限公司
• 主分類號: H01S3/0941
• 分類號: H01S3/0941;H01S3/11
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有溫度控制裝置的被動調Q激光器，包括泵浦源、多個反射元件構成諧振腔、固態增益介質放置在諧振腔內，一飽和吸收體放置在諧振腔內，以及一溫度控制裝置放置在固態增益介質周圍，使固態增益介質保持在一預設溫度附近；其特征在于：所述泵浦源采用光纖耦合輸出的LD，所述泵浦源設置在具有半導體制冷模塊的由銅材料制成的散熱裝置上，通過半導體制冷模塊調節泵浦源的溫度，使其輸出808nm的連續激光，最大輸出功率為100W；所述固態增益介質采用Nd:YVO₄晶體，其一面鍍1064nmHR/808nmHT膜，作為諧振腔的一個反射元件，另一面鍍1064nmAR膜；諧振腔的輸出鏡鍍1064nmHR膜，反射率為80%；所述飽和吸收體采用Cr⁴⁺:YAG晶體，在Cr⁴⁺:YAG晶體的兩個表面均鍍1064nmAR膜；所述溫度控制裝置具有一圓環形的氣管，設置在固態增益介質周圍，具有預設溫度的溶劑在氣管中循環，在固態增益介質的兩側對應設置具有供光線通過的入光口及出光口，所述固態增益介質的表面浸沒在所述溶劑中；一對高導熱介質緊貼在固態增益介質兩側，由SiC材料制成，SiC材料對波長在800nm-1100nm的紅外光具有高透光率；在固態增益介質入光側的高導熱介質上面向泵浦源一側鍍808nmHT膜，在另一側的高導熱介質上面向飽和吸收體一側鍍1064nmAR膜，減少諧振腔的損耗。