[實用新型]一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520667111.8
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN204946910U
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張振剛;蕭生剛;王海波;趙崇亮
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市科納能薄膜科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/074;H01L31/20
• 代理公司: 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001
• 代理人: 張晨

1.一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池，其特征在于該背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池包括：單晶硅基體，正面鈍化層，正面抗反射層，背面鈍化層，背面基極，背面基極接觸電極，背面發(fā)射極，背面發(fā)射極接觸電極以及背面保護(hù)膜；

正面鈍化層和正面抗反射層依次沉積在單晶硅基體的正面，在單晶硅基體的背面先沉積背面鈍化層；在背面鈍化層表面交替生長背面基極和背面發(fā)射極，以及背面保護(hù)膜；在背面基極表面生長背面基極接觸電極，在背面發(fā)射極表面生長背面發(fā)射極接觸電極；背面保護(hù)膜層位于兩相鄰接觸電極之間并覆蓋底部區(qū)域，包括背面發(fā)射極與背面基極之間的開口區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池，其特征在于所述單晶硅基體為N型單晶硅片或P型單晶硅片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池，其特征在于正面鈍化層薄膜厚度為0.5～30nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池，其特征在于正面抗反射層薄膜膜的厚度為30～300nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池，其特征在于背面鈍化層的厚度為0.5～20nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池，其特征在于所述的背面保護(hù)膜層厚度為5～100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背接觸異質(zhì)結(jié)單晶硅太陽能電池，其特征在于所述的背面電極材料厚度為1～100μm。