[實用新型]一種減少半導體激光器封裝應力的芯片結構

有效

• 申請號: 201520663400.0
• 申請日: 2015-08-28
• 公開（公告）號: CN204947320U
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發明（設計）人: 楊揚;夏偉;蘇建;徐現剛
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子有限公司
• 主分類號: H01S5/24
• 分類號: H01S5/24
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 陳桂玲

1.一種減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，包括半導體基片，該芯片結構是在上述半導體基片上通過金屬有機氣相外延法形成的具有電流注入區域和發光增益區域的增益波導型半導體激光器結構；具有沿激光振蕩方向延伸的2個溝槽，上述發光增益區域設置于2個溝槽的中間位置。

2.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于所述2個溝槽開口的寬度之和占芯片寬度的總比例控制在5-30％，所述溝槽的開口寬度和深度的比例在2-50。

3.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于所述半導體激光器芯片的寬度為100-500μm，發光增益區域的寬度為芯片寬度的20％-80％。

4.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于所述溝槽的截面形狀為方形、梯形或半圓形。

5.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于所述的2個溝槽形狀、尺寸相同。

6.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于溝槽開口的寬度為5-50μm，占芯片寬度的總比例控制在5-30％。

7.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于所述溝槽的深度為0.5-5μm，溝槽的寬度和深度的比例在2-50。

8.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于所述溝槽的深度為0.5-5μm，溝槽的寬度和深度的比例在10-20。

9.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于溝槽的開口寬度為15-30μm，深度為1-2μm。

10.如權利要求1所述的減少半導體激光器封裝應力的芯片結構，其特征在于所述的增益波導型半導體激光器結構，是在半導體基片上順次生長有第一包覆層、第一光波導層、發光活性層、第二光波導層和第二包覆層；在第二包覆層表面光刻刻蝕形成有沿激光振蕩方向延伸的2個溝槽，溝槽深度達到至少全部第二包覆層和適當厚度的第二光波導層，2個溝槽之間部分的發光增益區域上留有電注入窗口，其余部分的第二包覆層上有阻隔層，即發光增益區域正上方為電流注入區域；還沉積有P面電接觸層和N面電接觸層。